中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司周飞获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利一种半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188277B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010962087.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体结构及其形成方法是由周飞设计研发完成，并于2020-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其方法包括：以所述侧墙结构为掩膜，刻蚀所述复合层和所述初始第一区，形成第一区和位于所述第一区上的两个相互分立的第一鳍部，两个所述第一鳍部之间具有第一开口，所述第一鳍部包括位于所述第一区上的第一底部结构、位于第一底部结构上的若干层重叠的第一牺牲层、以及位于相邻两层第一牺牲层之间的第一沟道层，在所述第一开口内形成第一隔离结构，所述第一鳍部和所述第一开口以所述侧墙结构为掩膜，采用一次刻蚀同步形成，不依赖于图形化层，所述第一鳍部和所述第一开口的宽度和位置不受图案转移的光刻技术的限制，因此可以实现自对准形成第一隔离结构，降低了对光刻工艺的要求。
本发明授权一种半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括初始第一区； 在所述衬底上形成复合层，所述复合层包括若干层重叠的初始牺牲层以及位于相邻两层初始牺牲层之间的初始沟道层； 在所述初始第一区上的所述复合层表面形成多个侧墙结构，所述侧墙结构包括两个相互分立的第一侧墙； 以所述侧墙结构为掩膜，刻蚀所述复合层和所述初始第一区，形成第一区和位于所述第一区上的两个相互分立的第一鳍部，两个所述第一鳍部之间具有第一开口，所述第一鳍部包括位于所述第一区上的第一底部结构、位于第一底部结构上的若干层重叠的第一牺牲层、以及位于相邻两层第一牺牲层之间的第一沟道层； 在所述衬底上形成第二隔离结构，所述第二隔离结构覆盖所述第一鳍部的第一底部结构侧壁； 在所述第一开口内形成第一隔离结构，所述第一隔离结构完全填充所述第一开口。
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