中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242589B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010938421.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构的形成方法是由张海洋;纪世良;杨晨曦设计研发完成，并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括栅切割区和位于所述栅切割区两侧的器件区，所述栅切割区和器件区的基底上形成有栅极结构，所述栅极结构顶部具有刻蚀掩膜层；去除所述栅切割区和器件区上的栅极结构顶部的刻蚀掩膜层；在所述栅切割区和器件区的基底上形成栅极结构；在所述栅切割区和器件区的基底上形成覆盖所述栅极结构侧壁的介质层；形成覆盖所述介质层和所述栅极结构的硬掩模层；刻蚀所述硬掩模层，直至暴露出所述栅切割区上的栅极结构的顶部；去除所述栅切割区上的栅极结构和介质层，在所述栅切割区上形成对应的分割沟槽，使得不同器件区上的栅极结构被所述分割沟槽分割。该方案可以提高所形成的半导体结构的质量。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括栅切割区和位于所述栅切割区两侧的器件区，所述栅切割区和器件区的基底上形成有栅极结构，所述栅极结构顶部具有刻蚀掩膜层； 去除所述栅切割区和器件区上的栅极结构顶部的刻蚀掩膜层； 在所述栅切割区和器件区的基底上形成覆盖所述栅极结构侧壁的介质层； 形成覆盖所述介质层和所述栅极结构的硬掩模层； 刻蚀所述硬掩模层，直至暴露出所述栅切割区上的栅极结构的顶部； 去除所述栅切割区上的栅极结构和介质层，在所述栅切割区上形成对应的分割沟槽，使得不同器件区上的栅极结构被所述分割沟槽分割。
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