英特尔公司D.克伦获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利与具有L谷沟道的N型晶体管的改进的接触获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111033754B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094408.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权与具有L谷沟道的N型晶体管的改进的接触是由D.克伦;C.韦伯;R.梅汉鲁;H.肯内尔;B.楚-孔设计研发完成，并于2017-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本与具有L谷沟道的N型晶体管的改进的接触在说明书摘要公布了：提供了一种装置，该装置包括：在衬底之上的第一区，其中，第一区包括具有L谷传输能带结构的第一半导体材料；在结处与第一区接触的第二区，其中，第二区包括具有X谷传输能带结构的第二半导体材料，其中，第一和第二半导体材料的一个或多个晶体的111晶体方向与所述结大体上正交；以及与第二区相邻的金属，所述金属通过所述结导电地耦合到第一区。还公开并要求保护了其他实施例。
本发明授权与具有L谷沟道的N型晶体管的改进的接触在权利要求书中公布了：1.一种NMOS器件，包括： 在衬底之上的沟道区，其中，所述沟道区包括具有L谷传输能带结构的第一半导体材料； 在所述沟道区之上的栅极堆叠； 在结处与所述沟道区接触的源极区，其中，所述源极区包括具有X谷传输能带结构的第二半导体材料，其中第一和第二半导体材料的一个或多个晶体的111晶体方向与所述结大体上正交；和 与所述源极区相邻的金属，所述金属通过所述结导电地耦合到所述沟道区， 其中，所述第二半导体材料包括具有缓变的锗浓度的硅和锗。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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