英特尔公司S·T·马获国家专利权
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龙图腾网获悉英特尔公司申请的专利具有非对称源极结构和漏极结构的III-V族半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111052392B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201780094423.6，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权具有非对称源极结构和漏极结构的III-V族半导体器件是由S·T·马;G·杜威;W·拉赫马迪;H·W·肯内尔;C-Y·黄;M·V·梅茨;N·G·米努蒂洛;J·T·卡瓦列罗斯;A·S·默西设计研发完成，并于2017-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有非对称源极结构和漏极结构的III-V族半导体器件在说明书摘要公布了：描述了具有非对称源极结构和漏极结构的III‑V族半导体器件及其制作方法。在示例中，一种集成电路结构包括处于衬底上的砷化镓层。沟道结构处于砷化镓层上。该沟道结构包括铟、镓和砷。源极结构处于沟道结构的第一端并且漏极结构处于沟道结构的第二端。漏极结构具有比源极结构宽的带隙。栅极结构处于沟道结构之上。
本发明授权具有非对称源极结构和漏极结构的III-V族半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括： 处于衬底上的砷化镓层； 处于所述砷化镓层上的沟道结构，所述沟道结构包括铟、镓和砷； 处于所述沟道结构的第一端的源极结构和处于所述沟道结构的第二端的漏极结构，所述漏极结构具有比所述源极结构宽的带隙； 处于所述沟道结构之上的栅极结构；以及 处于所述漏极结构和所述沟道结构之间且与所述沟道结构处于同一水平面的本征区，所述本征区包括与所述漏极结构相同的半导体材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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