上海邦芯半导体科技有限公司田有粮获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利一种半导体结构制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120261286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-29发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510740339.3，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权一种半导体结构制备方法及半导体结构是由田有粮;王兆祥;梁洁;王晓雯;涂乐志;王奋设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构制备方法及半导体结构，方法包括：使用第一中性粒子与介质层进行第一反应，对自掩膜图形侧面露出的介质层的表面进行第一深度的第一刻蚀，以形成第一刻蚀结构；使用第二中性粒子与介质层进行第二反应，对第一刻蚀结构的底部进行第二深度的第二刻蚀，以形成第二刻蚀结构，并通过第二反应至少在第二刻蚀结构的底部上生成和吸附固态的阻挡层；使阻挡层解吸以去除；进行第二刻蚀和使阻挡层解吸的过程为一至多次，直至使衬底表面自第二刻蚀结构的底部上露出为止。本申请能够提高刻蚀工艺窗口，有效避免造成电荷积累以及晶格损伤，提升器件的性能表现，具有极高的应用价值。
本发明授权一种半导体结构制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底的一侧上依次具有介质层和掩膜图形； 使用第一中性粒子与所述介质层进行第一反应，对自所述掩膜图形侧面露出的所述介质层的表面进行第一深度的第一刻蚀，以形成第一刻蚀结构；所述第一中性粒子通过激发第一反应气体形成第一等离子体，并滤除所述第一等离子体中的带电粒子后得到； 切换至使用第二中性粒子与所述介质层进行第二反应，对所述第一刻蚀结构的底部进行第二深度的第二刻蚀，以形成第二刻蚀结构，并通过所述第二反应至少在所述第二刻蚀结构的底部上生成和吸附固态的阻挡层；所述第二中性粒子通过激发第二反应气体形成第二等离子体，并滤除所述第二等离子体中的带电粒子后得到； 使所述阻挡层解吸以去除； 其中，进行所述第二刻蚀和使所述阻挡层解吸的过程为一至多次，直至使所述衬底的表面自所述第二刻蚀结构的底部上露出为止。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海邦芯半导体科技有限公司，其通讯地址为：201304 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号