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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日：2014-03-28
公开（公告）日：2017-11-14
公开（公告）号：CN104952851B
专利技术分类：.加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案[2006.01]
专利摘要：本发明揭露了一种对准标记及其对准方法，所述对准标记包括一组形成于半导体衬底上的主标记，所述主标记由N组子标记组成，所述N组子标记形成于衬底上N层膜层中，N为该次光刻工艺需要对准的层数；每组所述子标记包括水平方向的第一子标记和竖直方向的第二子标记；所述第一子标记为水平方向上的两组光栅，所述第二子标记为竖直方向上的两组光栅。这样在对准时可以与多层对准，提高光刻精度和器件良率。
专利权项：一种对准标记，用于光刻工艺的对准，所述对准标记包括一组形成于半导体衬底上的主标记，所述主标记包括沿第一方向的第一主标记和沿第二方向的第二主标记，所述第一方向和第二方向垂直，其特征在于，所述第一主标记包括N组第一子标记，所述第一子标记为光栅结构，所述N组第一子标记在第二方向组合排列；所述第二主标记包括N组第二子标记，所述第二子标记为光栅结构，所述N组第二子标记在第一方向组合排列；所述N为该次光刻工艺需要对准的膜层的数量；所述需要对准的膜层中皆形成有一组第一子标记和第二子标记。
百度查询： 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 对准标记及其对准方法
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