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申请/专利权人：清华大学
摘要：本发明公开了P-BiCS结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底和衬垫层；在衬垫层顶部光刻出管形通道图案并刻蚀出凹槽；在凹槽中淀积第一材料以形成管形通道牺牲层；在衬垫层之上交替淀积第二材料和第三材料以形成绝缘层和控制栅牺牲层的叠层结构；在叠层结构中形成垂直刻蚀孔，垂直刻蚀孔的底部与管形通道牺牲层的端部接触；去除管形通道牺牲层，以使管形通道牺牲层两端的垂直刻蚀孔连通；填充多晶硅以形成U形导电通道；在叠层结构中刻蚀中央沟槽，以将U形导电通道的两个垂直段的各自周围的叠层结构分隔开；去除控制栅牺牲层；淀积形成电荷俘获复合层；淀积形成控制栅极。本发明可以得到具有金属栅极和电荷俘获复合层结构的P-BiCS结构，电学性能良好。
主权项：一种P‑BiCS结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，并在所述衬底上形成衬垫层；在所述衬垫层顶部光刻出管形通道图案并刻蚀出凹槽；在所述凹槽中淀积第一材料以形成管形通道牺牲层；在所述衬垫层之上交替淀积第二材料和第三材料以形成绝缘层和控制栅牺牲层的叠层结构；在所述叠层结构中形成垂直刻蚀孔，所述垂直刻蚀孔的底部与所述管形通道牺牲层的端部接触；去除所述管形通道牺牲层，以使所述管形通道牺牲层两端的所述垂直刻蚀孔连通；填充多晶硅以形成U形导电通道；在所述叠层结构中刻蚀中央沟槽，以将所述U形导电通道的两个垂直段的各自周围的所述叠层结构分隔开；去除所述控制栅牺牲层；淀积形成电荷俘获复合层，所述电荷俘获复合层覆盖所述绝缘层和所述U形导电通道的两个垂直段的表面；淀积金属栅极材料以形成控制栅极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 P-BiCS结构及其形成方法
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