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高耐汞恶臭假单孢菌株CHY-7及其在治理汞污染中的应用 

申请/专利权人:福建医科大学

申请日:2005-01-06

公开(公告)日:2007-07-18

公开(公告)号:CN1326991C

主分类号:C12N1/20(2006.01)

分类号:C12N1/20(2006.01);C02F3/34(2006.01);B09C1/10(2006.01);C12R1/40(2006.01)

优先权:

专利状态码:失效-未缴年费专利权终止

法律状态:2013.03.13#未缴年费专利权终止;2007.07.18#授权;2005.12.14#实质审查的生效;2005.10.19#公开

摘要:本发明公开了一种高耐汞恶臭假单孢菌株CHY-7及其在治理汞污染中的应用,属利用微生物实施环保治理的项目。该菌株为恶臭假单孢菌pseudomonasputidaCHY-7,已保藏“中国典型培养物保藏中心”。该菌株是从汞污染的土壤中分离得到的;适宜在中性及弱酸性或弱碱性培养介质中常温培养,也可在自来水和土壤中生长;其细菌学形态特征:为革兰氏阴性杆菌,长度为2.0-4.0×0.7-1.1μm,不产生芽孢,专性好氧;属于恶臭假单孢菌,菌落淡黄色、边缘光滑隆起,在色素生成培养基中可产生荧光。本发明从土壤中直接分离、筛选高耐汞、生长营养要求低、适应自然生态环境且生存能力强、具有高效还原离子态汞Hg2+为易挥发的元素汞Hg0的细菌菌株,能在治理汞污染的环境中广泛应用。

主权项:1.一株高耐汞恶臭假单胞菌CHY-7菌株,其特征在于:该菌株为恶臭假单胞菌pseudomonasputidaCHY-7,于2004年12月7日保藏于“中国典型培养物保藏中心”,其保藏号CCTCCNO.M204093。

全文数据:

权利要求:

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