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申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日：2005-12-28
公开（公告）日：2009-04-22
公开（公告）号：CN100481553C
专利技术分类：
专利摘要：一种相变记忆胞的制作方法。相变内存单元的一个接触的剖面面积会受下电极的宽度与暴露的长度影响，本方法可以制作非常小的相变记忆胞。
专利权项：1.一种记忆胞的制造方法，包括：形成一下电极于一基底上，该下电极具有一第一尺寸与一第二尺寸；覆盖该下电极的一第一区域并暴露出该下电极的一第二区域，这样该第二区域具有一宽度等于该第一尺寸与一暴露长度小于或等于该第二尺寸；以及放置一相变材料于该下电极的该第二区域上，藉以形成一接触于该相变材料与该下电极之间，该接触具有一面积等于该宽度与该暴露长度的一乘积。
百度查询： 旺宏电子股份有限公司 记忆胞及其制造方法、记忆胞数组及记忆胞的操作方法
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