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申请/专利权人：阿尔特拉公司
申请日：2011-08-04
公开（公告）日：2016-02-17
公开（公告）号：CN103180930B
专利技术分类：
专利摘要：公开通过在一个或者多个浮置多晶硅栅极指状物的两侧上形成带来实现更低要求的N阱或者P阱带结构的实施例。
专利权项：一种集成电路结构，包括：在半导体衬底中的N型阱或者P型阱；在所述阱中形成的第一有源器件；在所述阱中形成并且与所述有源器件分离的带，所述带包括接头和在至少一个浮置的多晶硅指状物的相反侧上的第一扩散区域和第二扩散区域，其中第一接头连接到所述第一扩散区域并且第二接头连接到所述第二扩散区域；以及在所述有源器件与所述带之间位于所述阱上的单个虚设多晶硅指状物。
百度查询： 阿尔特拉公司 N阱/P阱结构带结构
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