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晶体管的制造方法和晶体管专利

发布时间:2019-03-07 15:45:44 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 晶体管的制造方法和晶体管

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申请/专利权人:株式会社尼康

申请日:2014-11-20

公开(公告)日:2016-06-22

公开(公告)号:CN105706220A

专利技术分类:......带有绝缘栅的[2006.01]

专利摘要:本发明的晶体管的制造方法具有下述工序:在具有源极6、漏极7、半导体层9的基板2上,覆盖半导体层9,形成以含氟树脂为形成材料的第1绝缘体层10;覆盖第1绝缘体层10,形成第2绝缘体层11;在第2绝缘体层11的表面的至少一部分形成基底膜12;在基底膜12的表面析出作为无电解镀覆用催化剂的金属后,利用无电解镀覆在基底膜的表面形成栅极,形成基底膜12的工序是将作为基底膜12的形成材料的液态物12S涂布于第2绝缘体层11的表面来进行的,与第1绝缘体层10相比,第2绝缘体层11对于液态物12S具有更高的亲液性。

专利权项:一种晶体管的制造方法,其中,该制造方法具有下述工序:在形成有源极、漏极和与所述源极、所述漏极的表面相接的有机半导体层的基板上,覆盖所述有机半导体层,形成以含氟树脂为形成材料的第1绝缘体层的工序;覆盖所述第1绝缘体层,形成第2绝缘体层的工序;在所述第2绝缘体层的表面的至少一部分形成镀覆基底膜的工序;和在所述镀覆基底膜的表面析出作为无电解镀覆用催化剂的金属后,利用无电解镀覆在所述镀覆基底膜的表面形成栅极的工序;所述形成镀覆基底膜的工序是将作为所述镀覆基底膜的形成材料的液态物涂布于所述第2绝缘体层的表面来进行的,与所述第1绝缘体层相比,所述第2绝缘体层对于所述液态物具有更高的亲液性。

百度查询: 株式会社尼康 晶体管的制造方法和晶体管

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