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记忆胞专利

发布时间:2019-04-26 08:31:10 来源:龙图腾网 导航: 龙图腾网> 最新专利技术> 记忆胞

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申请/专利权人:印芯科技股份有限公司

申请日:2018-10-08

公开(公告)日:2019-04-16

公开(公告)号:CN109637565A

专利技术分类:.输入/输出〔I/O〕数据接口装置,例如:I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器[2006.01]

专利摘要:本发明提供一种记忆胞,其包括第一晶体管、反相器以及第二晶体管。第一晶体管的第一端用以做为记忆胞的数据输入端。第一晶体管的控制端接收写入控制信号。第一晶体管的第二端耦接记忆节点。反相器的输入端耦接记忆节点。反相器的输出端用以做为记忆胞的数据输出端。第二晶体管的第一端耦接第一电压。第二晶体管的控制端耦接反相器的输出端。第二晶体管的第二端耦接记忆节点。第二晶体管的基体耦接第二电压,其中第二电压的电压值不等于第一电压的电压值,以降低第二晶体管的漏电流。

专利权项:1.一种记忆胞,其特征在于,包括:第一晶体管,所述第一晶体管的第一端用以做为所述记忆胞的数据输入端,所述第一晶体管的控制端接收写入控制信号,且所述第一晶体管的第二端耦接记忆节点;反相器,所述反相器的输入端耦接所述记忆节点,且所述反相器的输出端用以做为所述记忆胞的数据输出端;以及第二晶体管,所述第二晶体管的第一端耦接第一电压,所述第二晶体管的控制端耦接所述反相器的所述输出端,所述第二晶体管的第二端耦接所述记忆节点,且所述第二晶体管的基体耦接第二电压,其中所述第二电压的电压值不等于所述第一电压的电压值,以降低所述第二晶体管的漏电流。

百度查询: 印芯科技股份有限公司 记忆胞

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