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申请/专利权人：英特尔公司

摘要：本文公开了一种用于减少SODIMM连接器的RF发射的受屏蔽的SODIMM系统。SODIMM连接器RFI目前会干扰连接，并且也是高速存储器应用的障碍。受屏蔽的SODIMM系统包括SODIMM连接器，其至少部分地由SODIMM连接器屏蔽罩容纳，以部分地和或基本上减少或阻挡来自SODIMM连接器的RF发射。SODIMM连接器屏蔽罩至少部分地导电并且耦合到主板印刷电路板“PCB”的表面上的着陆焊盘。耦合到SODIMM连接器屏蔽罩的主板PCB的着陆焊盘耦合到地，其使SODIMM连接器屏蔽罩接地。使至少部分地容纳SODIMM连接器的SODIMM连接器屏蔽罩接地可减少将信息传输操作期间SODIMM连接器的RF辐射。

主权项：1.一种针对小外形双列直插式存储器模块“SODIMM”连接器的射频干扰“RFI”屏蔽罩，包括：壳体构件，其用于至少部分地容纳SODIMM连接器，其中，所述SODIMM连接器包括导电体，其中，所述壳体构件至少部分地导电，其中，所述壳体构件限定孔以至少部分地接收SODIMM印刷电路板“PCB”；以及多个表面安装连接器，其用于将所述壳体构件耦合到PCB表面上的导电着陆焊盘。

全文数据：用于减少射频干扰RFI的SODIMM连接器屏蔽罩技术领域本公开涉及用于减少存储器接口中的射频干扰的系统和方法。背景技术诸如个人计算机、膝上型计算机等的计算机系统通常与持久存储器例如，在移除电源时不丢失数据的硬盘驱动器和固态驱动器和非持久存储器例如，在断电时丢失数据的随机存取存储器一起操作。通常可以通过将存储器模块滑动到存储器模块连接器中来方便地安装和更新非持久存储器。现有的随机存取存储器“RAM”模块包括安装在印刷电路板“PCB”上的存储器管芯，并且被称为双列直插式存储器模块“DIMM”。对于紧凑型计算系统例如，笔记本电脑，RAM模块被配置为小型双列直插式存储器模块“SODIMM”。在操作中，RAM模块PCB通常插入到安装到主板PCB并且使得能够容易地安装或方便地升级存储器的SODIMM连接器中。附图说明所要求保护的主题的各种实施例的特征和优点将随着以下详细描述的进行而变得显而易见，并且参考附图，其中相同的数字表示相同的部分，并且其中：图1A和图1B是描绘了根据一个实施例的说明性受屏蔽的SODIMM系统的图。图2A、图2B、图2C和图2D是描绘了根据一个实施例的说明性SODIMM连接器屏蔽罩的视图的图；图3是描绘了根据一个实施例的说明性SODIMM的视图的图；图4是描绘了根据一个实施例的说明性主板的图；图5是描绘了根据一个实施例的说明性曲线图的视图的图，所述说明性曲线图示出了可以通过实现SODIMM连接器屏蔽罩来实现的潜在益处中的一些；图6A和图6B是根据一个实施例的示出了具有和不具有SODIMM连接器屏蔽罩的SODIMM连接器的噪声辐射的差异的曲线图的图。图7是用于根据一个实施例的使用SODIMM连接器屏蔽罩以减少来自SODIMM连接器的RF辐射的说明性方法的高级流程图；以及图8是根据一个实施例的包括SODIMM连接器和SODIMM连接器屏蔽罩的说明性的基于处理器的设备的框图。尽管以下具体实施方式将参考说明性实施例进行，但是其许多替换、修改和变化对于本领域技术人员而言将是显而易见的。具体实施方式本文公开了一种用于减少SODIMM连接器的射频“RF”发射的受屏蔽的小外形双列直插式存储器模块“SODIMM”系统。随着RAM通道例如，双倍数据速率“DDR”RAM上数据速率的增加，SODIMM连接器已被确定为采用无线通信的计算系统中的射频干扰“RFI”的主要可能是主要源，所述无线通信例如长期演进“LTE”和WiFi。来自SODIMM连接器的RFI辐射作为噪声，并且导致无线连接不良，以及无线数据速率降低。SODIMM连接器RFI目前会干扰连通性，并且还是高速存储器应用的障碍。例如，下一代DDR存储器技术的目标是超过每秒5.0千兆传输“GTs”。存储器总线和无线电前端电路在相似的基频例如5.0GTs或高于所述相似的基频例如5.0GTs下工作。因此，来自SODIMM连接器的RFI阻碍了原始设备制造商“OEM”和原始设计制造商“ODM”存储器技术和产品的进步。根据各种实施例，当前公开的受屏蔽的SODIMM系统包括SODIMM连接器，其至少部分地由SODIMM连接器屏蔽罩进行容纳、覆盖、封闭或包围，以部分地和或基本上减少或阻止来自SODIMM连接器的RF发射。根据一个实施例，SODIMM连接器屏蔽罩至少部分地导电并且耦合到主板印刷电路板“PCB”的表面上的着陆焊盘landingpad。耦合到SODIMM连接器屏蔽罩的主板PCB的着陆焊盘耦合到地或使SODIMM连接器屏蔽罩接地的另一个DC参考电压。根据一个实施例，使至少部分地容纳、覆盖、封闭或包围SODIMM连接器的SODIMM连接器屏蔽罩接地减少了在信息传输操作期间来自SODIMM连接器的RF发射例如，RFI。SODIMM连接器屏蔽罩可以在某些频率下将来自SODIMM连接器的RF发射减少高达99％例如，～20dB，从而实现改进的无线连接和成功的高数据传输例如，每秒5千兆传输。如本文所用的，术语“顶部”和“底部”以及类似的术语表示相对而非绝对方向。因此，被描述为设备的“顶部组件”的组件和被描述为设备的“底部组件”的组件可以在设备被倒置时分别成为“底部组件”和“顶部组件”。如本文所用的，术语“射频”和“RF”是指存在于约3千赫兹kHz至约1太赫兹THz的频率之间的电磁频谱的全部或一部分。图1A和图1B示出了根据一个实施例的受屏蔽的小外形双列直插式存储器模块“SODIMM”系统100的各种视图，其部分地或基本上阻止从SODIMM连接器发射的射频“RF”干扰、辐射或无线传输。受屏蔽的SODIMM系统100可以合并到计算设备中，包括但不限于服务器、工作站计算机、台式计算机、膝上型计算机、平板计算机例如，iPad、GalaxyTab等、超便携式计算机、超移动计算机、上网本计算机和或子笔记本计算机；移动电话，包括但不限于智能电话例如，基于基于的电话、基于的电话、基于的电话等、功能电话、路由器、网络附加存储“NAS”、网络硬件和或打印机。图1A描绘了根据一个实施例的受屏蔽的SODIMM系统100的说明性分解透视图。根据一个实施例，受屏蔽的SODIMM系统100包括SODIMM连接器102和SODIMM连接器屏蔽罩104。根据一个实施例，SODIMM连接器屏蔽罩104被配置为在SODIMM连接器102上滑动和或容纳SODIMM连接器102，以部分地或基本上阻止在计算系统内的信息传送操作期间从SODIMM连接器102发出的RF干扰、辐射或无线传输。根据一个实施例，SODIMM连接器102提供主板印刷电路板“PCB”与安装在SODIMMPCB上的存储器之间的接口。根据一个实施例，SODIMM连接器102接收SODIMMPCB，物理地支撑SODIMMPCB，并提供SODIMMPCB和主板PCB之间的电耦合。根据一个实施例，SODIMM连接器102包括主体106、孔108和支撑臂110单独地，支撑臂110a和支撑臂110b，以提供SODIMMPCB和主板PCB之间的接口。根据一个实施例，主体106包括多个表面以便于接收和支撑SODIMMPCB。根据一个实施例，主体106包括顶表面112、前表面114、后表面116、底表面118、侧表面120和侧表面122。主体106可以是矩形的并且可以具有沿着一个或多个边缘边缘的圆角。主体106具有x轴、y轴和z轴。根据一个实施例，主体106、顶表面112、前表面114、后表面116和底表面118的长度沿x轴例如，纵向轴线限定。根据一个实施例，主体106、顶表面112、底表面118、侧表面120和侧表面122的宽度沿y轴例如，横向轴限定。根据一个实施例，主体106、前表面114、后表面116、侧表面120和侧表面122的高度沿z轴例如，垂直轴限定。根据一个实施例，主体106限定孔108。孔108可以限定在顶表面112的边缘和前表面114的边缘之间。根据一个实施例，孔108被配置为接收存储器模块，例如SODIMMPCB。在孔108内，根据一个实施例，主体106包括支撑构件109，支撑构件109与SODIMMPCB中的凹口配合，以便于SODIMM连接器102内的连接器和SODIMMPCB上的着陆焊盘之间的对准。根据一个实施例，支撑臂110被配置为当SODIMMPCB通过孔108耦合到SODIMM连接器102时将SODIMMPCB保持在适当位置。根据一个实施例，支撑臂110从前表面114垂直延伸。根据一个实施例，支撑臂110从主体106延伸并平行于侧表面120、122。根据一个实施例，SODIMM连接器屏蔽罩104通过部分地和或基本上阻止或减少从SODIMM连接器102发射的RF干扰、辐射或无线传输，为SODIMM连接器102提供RF保护。如本文所使用的，根据一个实施例，部分地阻止或减少从SODIMM连接器102发射的RF干扰、辐射或无线传输包括阻止或减少RF干扰、辐射或无线传输至少49％或至少3dB。如本文所使用的，根据一个实施例，基本上阻止或减少从SODIMM连接器102发出的RF干扰、辐射或无线传输包括阻挡或减少RF干扰、辐射或无线传输至少90％或10dB。如本文所使用的，根据一个实施例，基本上阻止或减少从SODIMM连接器102发出的RF干扰、辐射或无线传输包括阻止或减少RF干扰、辐射或无线传输至少99％或20dB+-2dB。根据一个实施例，SODIMM连接器屏蔽罩104通过至少部分地容纳SODIMM连接器102而用作RF屏蔽罩。根据一个实施例，SODIMM连接器屏蔽罩104包括壳体构件124、孔126、多个主板PCB连接器128、多个上SODIMM连接器130、多个下SODIMM连接器132和孔134。壳体构件124可以是矩形的并且可以具有沿着一个或多个边缘边缘的圆角。根据一个实施例，壳体构件124是SODIMM连接器屏蔽罩104的主体。壳体构件124包括x轴、y轴和z轴。根据一个实施例，壳体构件124、顶表面136、前表面138、后表面140和孔134的长度沿x轴例如，纵向轴线限定。根据一个实施例，壳体构件124、顶表面136、侧表面142、侧表面144和孔134的宽度沿y轴例如，横向轴线限定。根据一个实施例，壳体构件124、前表面138、后表面140、侧表面142和侧表面144的高度沿z轴例如，垂直轴限定。壳体构件124和或SODIMM连接器屏蔽罩104可包括或可由多种材料中的一种或多种制成。例如，壳体构件124可由铝、钢、铜、金、银、另一种金属和或一种或多种金属的组合制成。壳体构件124可以由金属和非导电材料的组合制成，例如复合材料。例如，根据一个实施例，壳体构件124可以主要是金属，包括一个或多个窗口、狭槽或由复合或非导电材料制成的其他部分。根据一个实施例，孔126由边缘限定，该边缘包括顶表面136的边缘和前表面138的边缘。根据一个实施例，孔126由边缘限定，该边缘包括顶表面136的边缘、前表面138的边缘、侧表面142的边缘和侧表面144的边缘。根据一个实施例，孔126的一个边缘衬有和或承载多个上SODIMM连接器130。根据一个实施例，孔126的一个边缘衬有和或承载多个下SODIMM连接器132。根据一个实施例，多个上SODIMM连接器130将SODIMMPCB机械地和电耦合到SODIMM连接器屏蔽罩104。根据一个实施例，多个上SODIMM连接器130中的每一个都是导电的。根据一个实施例，多个上SODIMM连接器130中的每一个都是弧形的，以便于在孔126内接收SODIMMPCB时提供针对SODIMMPCB的弹簧张力。根据一个实施例，多个上SODIMM连接器130中的每一个是弧形的并且包括朝向壳体构件124的内腔定向的远端。在一个实施例中，根据一个实施例，多个上SODIMM连接器130被配置为将SODIMM连接器屏蔽罩104电耦合到设置在SODIMMPCB的上表面例如，第一表面上的一个或多个着陆焊盘，以促进SODIMMPCB和壳体构件124的接地。根据一个实施例，多个下SODIMM连接器132将SODIMMPCB机械地和电耦合到SODIMM连接器屏蔽罩104。根据一个实施例，多个下SODIMM连接器132中的每一个都是导电的。根据一个实施例，多个下SODIMM连接器132中的每一个是弧形的，以便于提供针对SODIMMPCB的下表面的弹簧张力。根据一个实施例，多个下SODIMM连接器132中的每一个包括朝向壳体构件124的内腔定向的远端。根据一个实施例，多个下SODIMM连接器132被配置为将SODIMM连接器屏蔽罩104电耦合到设置在SODIMMPCB的下表面例如，第二表面上的一个或多个着陆焊盘。根据一个实施例，多个主板PCB连接器128围绕壳体构件124的边缘设置，并且当SODIMM连接器102和SODIMM连接器屏蔽罩104被安装和或耦合到主板PCB时，壳体构件124的边缘是接近主板PCB的表面的边缘。根据一个实施例，多个主板PCB连接器128围绕孔134的边缘设置。根据一个实施例，多个主板PCB连接器128设置在孔134的一个边缘边缘上或孔134的多个边缘边缘上。根据一个实施例，多个主板PCB连接器128是导电的。根据一个实施例，多个主板PCB连接器128是引脚。根据一个实施例，多个主板PCB连接器128将SODIMM连接器屏蔽罩104电耦合到设置在主板PCB的表面上的一个或多个着陆焊盘，以便于使SODIMM连接器屏蔽罩104接地。根据一个实施例，孔134横向地与顶表面136相对。根据一个实施例，孔134使得支撑臂110能够插入穿过孔126。根据一个实施例，孔134接收SODIMM连接器102的主体106，以使主体106能够插入SODIMM连接器屏蔽罩104的腔中。根据一个实施例，孔134接收SODIMM连接器102的主体106，以使壳体构件124能够至少部分地容纳、至少部分地覆盖或至少部分地包围SODIMM连接器102的主体106。图1B描绘了根据一个实施例的受屏蔽的SODIMM系统100的说明性透视图。图1B描绘了根据一个实施例的SODIMM连接器屏蔽罩104的说明性透视图，其至少部分地容纳、覆盖、封闭和或包围SODIMM连接器102的主体106。图2A、图2B、图2C和图2D描绘了SODIMM连接器屏蔽罩104的各种说明性视图。图2A描绘了根据一个实施例的SODIMM连接器屏蔽罩104的说明性前视平面图。图2B描绘了根据一个实施例的SODIMM连接器屏蔽罩104的正面取向的说明性局部透视图。图2C描绘了根据一个实施例的SODIMM连接器屏蔽罩104的说明性后视平面图。图2D描绘了根据一个实施例的SODIMM连接器屏蔽罩104的底部后方取向的说明性透视图。图3描绘了根据一个实施例的可由SODIMM连接器102和SODIMM连接器屏蔽罩104接收的SODIMM300的说明性视图。根据一个实施例，SODIMM300包括SODIMMPCB302、输入输出着陆焊盘304、接地着陆焊盘306和存储器管芯308。根据一个实施例，SODIMMPCB302包括顶表面310例如，第一表面和底表面312例如，第二表面。根据一个实施例，SODIMMPCB302包括位于SODIMMPCB302的一侧或多侧上的棘爪或凹口314，以使SODIMM连接器102能够为向SODIMMPCB302提供横向支撑。根据一个实施例，SODIMMPCB302包括凹口316，当SODIMMPCB302插入SODIMM连接器102时，凹口316使SODIMM连接器102内的输入输出着陆焊盘304对准。根据一个实施例，底表面312可包括在SODIMM300的顶表面310上示出的特征或组件中的一个或多个。根据一个实施例，输入输出着陆焊盘304包括数十或数百个着陆焊盘，其有助于存储器管芯308和SODIMM连接器102之间的电耦合。根据一个实施例，接地着陆焊盘306包括多个着陆焊盘，其可以设置在SODIMMPCB302的顶表面310和底表面312上。根据一个实施例，接地着陆焊盘306被配置为与多个上SODIMM连接器130图1A中示出中的一个或多个以及多个下SODIMM连接器132图1B中示出中的一个或多个接合。根据一个实施例，接地着陆焊盘306便于附加的接地平面或参考平面连接，其可以减少在输入输出着陆焊盘304上发送的数据信号中的噪声。根据一个实施例，存储器管芯308可以是随机存取存储器“RAM”或可以是非易失性存储器。存储器管芯308可以包括但不限于同步动态RAM“SDRAM”、双倍数据速率SDRAM“DDRSDRAM”和RambusDRAM“RDRAM”。根据一个实施例，非易失性存储器包括不需要电力来维持由存储介质存储的数据状态的存储介质。存储器管芯308可以包括但不限于NAND非易失性存储器例如，单级单元“SLC”、多级单元“MLC”、四级单元“QLC”、三级单元“TLC”或一些其他NAND、NOR存储器、固态存储器例如，平面或三维3DNAND非易失性存储器或NOR非易失性存储器、使用硫族化物相变材料例如，硫属化物玻璃的存储器件、字节可寻址非易失性存储器件、铁电存储器、氧化硅-氮化物-氧化物-硅“SONOS”存储器、聚合物存储器例如，铁电聚合物存储器、字节可寻址随机可存取3DXPointTM存储器、铁电晶体管随机存取存储器“Fe-TRAM”、磁阻随机存取存储器“MRAM”、相变存储器“PCM”、“PRAM”、电阻存储器、铁电存储器“F-RAM”、“FeRAM”、自旋转移力矩存储器“STT”、热辅助开关存储器“TAS”、千足虫存储器、浮动结栅极存储器“FJGRAM”、磁隧道结“MTJ”存储器、电化学电池“ECM”存储器、二元氧化物灯丝单元存储器、界面开关存储器、电池支持的RAM、奥氏存储器、纳米线存储器、电可擦除可编程只读存储器“EEPROM”。在一些实施例中，字节可寻址随机可存取3DXPointTM存储器可以包括无晶体管的可堆叠交叉点架构，其中存储器单元位于字线和位线的交叉点处，并且根据各种实施例，是可单独寻址的，并且其中位存储基于体电阻的变化。图4描绘了根据一个实施例的主板400的说明性局部俯视图。根据一个实施例，主板400包括主板PCB402、输入输出着陆焊盘404和接地着陆焊盘406。根据一个实施例，主板PCB402包括表面408，其被配置为承载受屏蔽的SODIMM系统100。根据一个实施例，输入输出着陆焊盘404接收并可耦合到从SODIMM连接器102的底部延伸并且电耦合到SODIMMPCB302的输入输出着陆焊盘304的连接器或引脚，以促进主板400和SODIMM300的存储器管芯308之间的数据传输。根据一个实施例，接地着陆焊盘406接收并可耦合到多个主板PCB连接器128图1A中所示，以在主板400和SODIMM连接器屏蔽罩104之间提供接地或参考连接。图5描绘了示例性图500，其示出了可以通过实施SODIMM连接器屏蔽罩104实现的一些潜在益处。图500包括x轴502和y轴504。x轴502表示频率在千兆赫兹“GHz”中，y轴504以分贝“dB”表示RFI噪声耦合系数。根据一个实施例，图500包括未受屏蔽的SODIMM连接器的曲线506，并且包括受屏蔽的SODIMM连接器的曲线508，该连接器用SODIMM连接器屏蔽罩104图1A中示出而受屏蔽。在大约2.4GHz+-.1GHz处，改进510可以包括在曲线506和曲线508之间的RFI噪声耦合系数减小大约20dB。在大约5.4GHz+-.2GHz，改进512可以包括曲线506和曲线508之间的RFI噪声耦合系数的大约10dB的减小。图6A和图6B描绘了示出具有和不具有SODIMM连接器屏蔽罩104图1A中所示的SODIMM连接器的噪声辐射差异的说明性图。图6A描绘了未受屏蔽的SODIMM连接器102图1A中所示的噪声辐射的说明性图602以及由SODIMM连接器屏蔽罩104图1A中所示容纳的SODIMM连接器102的降低噪声辐射的说明性图604。根据各种实施例，可以使用受屏蔽的SODIMM系统100的各种替代配置。根据各种实施例，例如，SODIMM连接器102可以是双列直插式存储器模块“DIMM”连接器、单个直插式存储器模块“SIMM”连接器或Rambus直插式存储器模块“RIMM”连接器。根据各种实施例，虽然SODIMM连接器屏蔽罩被配置用于SODIMM连接器102，其携带与主板PCB的表面平行的SODIMMPCB，但是SODIMM连接器屏蔽罩104可以被配置为容纳SODIMM、DIMM、RIMM或SIMM连接器，其朝向与主板PCB的表面正交地或以与主板PCB的表面平行且正交的角度例如，60度承载SODIMM、DIMM、RIMM或SIMMPCB。图7是根据本文描述的至少一个实施例的用于使用SODIMM连接器屏蔽罩以减少来自SODIMM连接器的RF辐射的说明性方法700的高级逻辑流程图。在操作702，该方法开始。在操作704，根据一个实施例，方法700包括至少部分地利用DIMM连接器屏蔽罩封闭DIMM连接器。在操作706，根据一个实施例，方法700包括将DIMM连接器屏蔽罩耦合到参考电压以至少部分地阻挡来自DIMM连接器的射频发射。在操作708，方法700结束。图8是根据本文描述的至少一个实施例的配备有SODIMM连接器102和SODIMM连接器屏蔽罩104的说明性的基于处理器的设备800的框图，例如以上参照图1A、图1B、图2A、图2B、图2C和图2D所描述的。以下讨论提供了形成说明性的基于处理器的设备800的组件的简要、一般描述，例如智能电话、可穿戴计算设备、便携式计算设备或类似设备，并且具有图1A至图4任何一个所示的特征。基于处理器的设备800包括处理器电路810，其能够执行机器可读指令集，从数据存储设备830读取数据以及将数据写入数据存储设备830。相关领域的技术人员将意识到，所示实施例以及其他实施例可以与其他基于电路的设备配置一起实施，包括便携式电子或手持电子设备，例如智能电话、便携式计算机、可穿戴计算机、基于微处理器或可编程的消费电子产品、个人计算机“PC”、网络PC、小型机、大型计算机等。处理器电路810可包括任何数量的硬连线或可配置电路，其中的一些或全部可包括部分或全部设置在PC、服务器中的电子组件、半导体设备和或逻辑元件的可编程和或可配置组合，或者能够执行机器可读指令的其他计算系统。基于处理器的设备800包括处理器电路810和总线或类似的通信链路816，其可通信地耦合并促进各种系统组件之间的信息和或数据的交换，包括系统存储器820、一个或多个旋转数据存储设备830、和或一个或多个固态存储设备“SSD”832。通信链路816可以代表主板。基于处理器的设备800可以在本文中以单数形式引用，但是这并不旨在将实施例限制于单个设备和或系统，因为在某些实施例中，将存在不止一个基于处理器的设备800，其并入、包括或包含任何数量的可通信耦合、并置或远程联网的电路或设备。处理器电路810可包括任何数量、类型或组合的设备。有时，处理器电路810可以全部或部分地以半导体器件的形式实现，例如二极管、晶体管、电感器、电容器和电阻器。这样的实现可以包括但不限于任何当前或未来开发的单核或多核处理器或微处理器，例如：一个或多个片上系统SOC；中央处理单元CPU；数字信号处理器DSP；图形处理单元GPU；专用集成电路ASIC、可编程逻辑单元、现场可编程门阵列FPGA等。除非另有说明，否则图8中所示的各种方框的构造和操作可以包括在内。因此，这里不需要进一步详细描述这些框，因为相关领域的技术人员将理解它们。互连基于处理器的设备800的组件中的至少一些的通信链路816可以采用任何已知的串行或并行总线结构或架构。通信链路816可以包括诸如印刷电路板的硬件，其配置有受屏蔽的SODIMM系统100如图1A和图1B所示的一个或多个实现，如本文所公开的。系统存储器820可以包括只读存储器“ROM”818和随机存取存储器“RAM”824。ROM818的一部分可以用于存储或以其他方式保留基本输入输出系统“BIOS”822。BIOS822向基于处理器的设备800提供基本功能，例如通过使处理器电路810加载一个或多个机器可读指令集。在实施例中，一个或多个机器可读指令集中的至少一些使得处理器电路810的至少一部分提供、创建、产生、转换和或用作专用的、具体的和特定的机器，用于例如，文字处理机、数字图像获取机、媒体播放机、通信设备等。RAM824可以是包括一个或多个印刷电路板的SIMM、RIMM、SODIMM或DIMM存储器模块。RAM824可以通过SODIMM连接器102耦合到通信链路816，SODIMM连接器102至少部分地由SODIMM连接器屏蔽罩104容纳，以部分地或基本上阻止或减少来自SODIMM连接器102的RF发射。基于处理器的设备800可以包括一个或多个可通信地耦合的非暂时性数据存储设备，诸如一个或多个硬盘驱动器830和或一个或多个固态存储设备832。一个或多个数据存储设备830可以包括任何当前或未来开发的存储设备、网络和或设备。这种数据存储设备830的非限制性示例可以包括但不限于任何当前或未来开发的非暂时性存储设备或设备，诸如一个或多个磁存储设备、一个或多个光存储设备、一个或多个更多的电阻存储装置、一个或多个分子存储装置、一个或多个量子存储装置或其各种组合。在一些实施方式中，一个或多个数据存储设备830可以包括一个或多个可移动存储设备，诸如一个或多个非易失性驱动器、非易失性存储器、非易失性存储单元或能够通信地耦合到基于处理器的设备800并与基于处理器的设备800分离的类似装置或设备。一个或多个数据存储设备830和或一个或多个固态存储设备832可以包括将相应的存储设备或系统通信地耦合到通信链路816的接口或控制器未示出。一个或多个数据存储设备830可以存储、保留或以其他方式包含机器可读指令集、数据结构、程序模块、数据存储、数据库、逻辑结构和或对处理器电路810有用的其他数据和或在处理器电路810上执行或由其执行的一个或多个应用。在一些实例，一个或多个数据存储设备830可以可通信地耦合到处理器电路810，例如经由通信链路816或经由一个或多个有线通信接口例如，通用串行总线或USB；一个或多个无线通信接口例如，近场通信或NFC；一个或多个有线网络接口例如，IEEE802.3或以太网；和或一个或多个无线网络接口例如，IEEE802.11或。机器可读指令集838和其他程序、应用、逻辑集和或模块840可以全部或部分地存储在系统存储器820中。这样的指令集838可以全部或部分地从一个或多个数据存储设备830和或固态存储设备832传送。机器可读指令集838可以在由处理电路810执行期间全部或部分地加载、存储或以其他方式保留在系统存储器820中。机器可读指令集838可以包括机器可读和或处理器可读代码、指令或能够提供本文所述的语音指导功能和能力的类似逻辑。系统用户可以使用一个或多个可通信地耦合的输入设备850向基于处理器的设备800提供、输入或以其他方式供应例如，选择、应答acknowledge、确认confirmation等命令以及信息和或数据例如，主题标识信息、颜色参数。一个或多个可通信地耦合的输入设备850可以设置在基于处理器的设备800的本地或远离基于处理器的设备800。输入设备850可以包括一个或多个：文本输入设备851例如，键盘；定点设备852例如，鼠标、轨迹球、触摸屏；音频输入设备853；视频输入设备854；和或生物计量输入设备855例如，指纹扫描仪、面部识别、虹膜打印扫描仪、语音识别电路。在实施例中，一个或多个输入设备850中的至少一些可以包括有线或无线接口，其将输入设备850可通信地耦合到基于处理器的设备800。系统用户可以经由一个或多个输出设备860从基于处理器的设备800接收输出。在至少一些实现中，一个或多个输出设备860可以包括但不限于一个或多个：生物计量输出设备861；视觉输出或显示设备862；触觉输出设备863；音频输出设备864或其组合。在实施例中，一个或多个输出设备860中的至少一些可以包括可通信耦合到基于处理器的设备802的有线或无线。为方便起见，网络接口870、处理器电路810、系统存储器820、一个或多个输入设备850和一个或多个输出设备860被示为经由通信链路816彼此通信地耦合，从而提供在上述组件之间的连接。在替代实施例中，上述组件可以以与图8中所示不同的方式通信地耦合。例如，上述组件中的一个或多个可以经由一个或多个中间组件未示出直接耦合到其他组件，或者可以彼此耦合。在一些实施例中，可以省略通信链路816的全部或一部分，并且使用合适的有线或无线连接将组件彼此直接耦合。另外，已经参考以上附图和所附示例进一步描述了实施例的操作。一些图可能包括逻辑流程。尽管这里呈现的这些附图可以包括特定的逻辑流程，但是可以意识到，逻辑流程仅提供了如何可以实现这里描述的一般功能的示例。此外，除非另有说明，否则给定的逻辑流程不一定必须以所呈现的顺序执行。实施例不限于此上下文。本文已经描述了各种特征、方面和实施例。如本领域技术人员将理解的，特征、方面和实施例易于彼此组合以及变化和修改。因此，本公开应被视为包含这样的组合、变化和修改。因此，本发明的广度和范围不应受任何上述示例性实施例的限制，而应仅根据所附权利要求及其等同物来限定。这里采用的术语和表达用作描述的术语而非限制，并且在使用这些术语和表达时，无意排除所示和所述特征的任何等同物或其部分，并且认识到在权利要求的范围内可以进行各种修改。因此，权利要求旨在涵盖所有这些等同物。本文已经描述了各种特征、方面和实施例。如本领域技术人员将理解的，特征、方面和实施例易于彼此组合以及变化和修改。因此，本公开应被视为包含这样的组合、变化和修改。贯穿本说明书对“一个实施例”、“实施例”或“实现”的引用意味着结合该实施例描述的特定特征、结构或特性包括在至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书在各个地方出现的短语“在一个实施例中”或“在实施例中”不一定都指代相同的实施例。此外，特定特征、结构或特性可以在一个或多个实施例中以任何合适的方式组合。如在此的任何实施例中所使用的，术语“逻辑”可以指被配置为执行任何上述操作的应用、软件、固件和或电路。软件可以体现为记录在非暂时性计算机可读存储介质上的软件封装、代码、指令、指令集和或数据。固件可以体现为在存储器设备中硬编码例如，非易失性的代码、指令或指令集和或数据。如本文的任何实施例中所使用的“电路”可以包括，例如，单独地或以任何组合，硬连线电路、可编程电路、状态机电路，逻辑和或固件，其存储由可编程电路执行的指令。电路可以体现为集成电路，例如集成电路芯片。在一些实施例中，电路可以至少部分地形成在存储器控制器内，该存储器控制器执行与本文描述的功能相对应的代码和或指令集例如，软件，固件等，从而将通用处理器转换为专用处理环境以执行本文描述的操作中的一个或多个。在一些实施例中，存储器控制器电路或其他系统的各种组件和电路可以组合在片上系统“SoC”架构中。这里描述的操作的实施例可以在其上存储有指令的计算机可读存储设备中实现，所述指令在由一个或多个处理器执行时执行所述方法。处理器可以包括例如处理单元和或可编程电路。存储设备可以包括机器可读存储设备，其包括任何类型的有形、非暂时性存储设备，例如，包括软盘、光盘、光盘只读存储器“CD-ROM”、光盘可重写“CD-RW”的任何类型的盘，以及磁光盘、半导体设备，如只读存储器“ROM”、如动态和静态RAM的随机存取存储器“RAM”、可擦除可编程只读存储器“EPROM”、电可擦除可编程只读存储器“EEPROM”、非易失性存储器、磁卡或光卡、或适用于存储电子指令的任何类型的存储设备。在一些实施例中，硬件描述语言“HDL”可用于指定用于本文描述的各种逻辑和或电路的电路和或逻辑实现。例如，在一个实施例中，硬件描述语言可以符合或与非常高速的集成电路“VHSIC”硬件描述语言“VHDL”兼容，该语言可以实现所描述的一个或多个电路和或逻辑的半导体制造。VHDL可以符合或兼容IEEE标准1076-1987、IEEE标准1076.2、IEEE1076.1、VHDL-2006的IEEEDraft3.0、VHDL-2008的IEEEDraft4.0和或其他版本的IEEEVHDL标准和或其他硬件描述标准。在一些实施例中，Verilog硬件描述语言“HDL”可用于指定用于本文描述的各种逻辑和或电路的电路和或逻辑实现。例如，在一个实施例中，HDL可以符合或兼容2011年7月7日的IEEE标准62530-2011：SystemVerilog-统一硬件设计、规范和验证语言；2013年2月21日发布的IEEEStd1800TM-2012：SystemVerilog统一硬件设计、规范和验证语言IEEE标准；2006年4月18日的IEEE标准1364-2005：Verilog硬件描述语言IEEE标准和或其他版本的VerilogHDL和或SystemVerilog标准。示例本公开的示例包括与提高存储器阵列读取速率相关的诸如存储器控制器的主题材料、方法和系统，如下所述。示例1。根据该示例，提供了一种针对双列直插式存储器模块“DIMM”连接器的射频干扰“RFI”屏蔽罩。RFI屏蔽罩包括至少部分地容纳DIMM连接器的壳体构件，其中壳体构件至少部分地导电，其中壳体构件限定孔以至少部分地接收DIMM印刷电路板“PCB”。RFI屏蔽罩包括至少一个连接器，以将壳体构件连接到表面。示例2。该示例包括示例1的元件，其中壳体构件是矩形的。示例3。该示例包括示例1的元件，其中孔被限定为以平行于表面的取向至少部分地接收DIMMPCB。示例4。该示例包括示例1的元件，其中孔被限定为以与表面正交的取向至少部分地接收DIMMPCB。示例5。该示例包括示例1的元件，其中孔是第一孔，其中壳体构件限定第二孔以至少部分地接收DIMM连接器。示例6。该示例包括示例1的元件，其中表面是主板PCB。示例7。该示例包括示例1的元件，其中，所述至少一个连接器包括多个连接器，所述多个连接器围绕所述壳体构件的边缘设置，当所述壳体构件耦合到所述表面时，所述多个连接器靠近所述表面。示例8。该示例包括示例1的元件，其中，所述至少一个连接器是引脚，以电耦合到表面上的着陆焊盘。示例9。该示例包括示例1的元件，其中，所述至少一个连接器是至少一个第一连接器，其中，所述RFI屏蔽罩还包括至少一个第二连接器，其设置在所述孔内，以将所述壳体构件连接到所述DIMMPCB。示例10。该示例包括示例9的元件，其中，所述至少一个第二连接器包括设置在所述孔内的所述壳体构件上的多个引脚，其中所述多个引脚中的至少一些引脚用于当DIMMPCB在孔内被接收时，提供针对所述DIMMPCB的弹簧张力。示例11。该示例包括示例1的元件，其中壳体构件至少部分地屏蔽的来源于DIMM连接器的射频“RF”辐射。示例12。该示例包括示例1的元件，其中DIMMPCB是小外形DIMM“SODIMM”PCB，而DIMM连接器是SODIMM连接器。示例13。该示例包括示例1的元件，其中壳体构件是金属。示例14。根据该示例，提供了一种系统。该系统包括双列直插式存储器模块“DIMM”连接器，用于安装到主板印刷电路板“PCB”；以及针对DIMM连接器的射频干扰“RFI”屏蔽罩。RFI屏蔽罩包括至少部分地容纳DIMM连接器的壳体构件，其中所述壳体构件至少部分地导电，其中所述壳体构件限定孔以至少部分地接收DIMM的DIMMPCB。RFI屏蔽罩包括至少一个连接器，以将壳体构件连接到主板PCB的表面。示例15。该示例包括示例14的元件，其中孔被限定为以平行于表面的取向至少部分地接收DIMMPCB。示例16。该示例包括示例14的元件，其中孔是第一孔，其中壳体构件限定第二孔以至少部分地接收DIMM连接器。示例17。该示例包括示例14的元件，其中，所述至少一个连接器包括多个连接器，所述多个连接器围绕所述壳体构件的边缘设置，所述边缘靠近所述主板PCB的表面。示例18。该示例包括示例14的元件，其中，所述至少一个连接器是用于电连接到表面上的着陆焊盘的引脚。示例19。该示例包括示例14的元件，其中，所述至少一个连接器是至少一个第一连接器，其中，所述RFI屏蔽罩还包括至少一个第二连接器，其设置在所述孔内以将所述壳体构件连接到所述DIMMPCB，其中，所述至少一个第二连接器包括设置在所述孔内的所述壳体构件上的多个引脚，其中所述多个引脚中的至少一些引脚用于在所述DIMMPCB在所述孔内被接收时提供针对所述DIMMPCB的弹簧张力。示例20。该示例包括示例14的元件，其中DIMMPCB是小外形DIMM“SODIMM”PCB，而DIMM连接器是SODIMM连接器。示例21。根据该示例，提供了一种方法。该方法包括利用DIMM连接器屏蔽罩来至少部分地包围双列直插式存储器模块“DIMM”连接器；以及将DIMM连接器安装到主板印刷电路板“PCB”的表面上，以将DIMM连接器屏蔽罩耦合到参考电压，以至少部分地阻挡来自DIMM连接器的射频“RF”发射。示例22。该示例包括示例21的元件，其中DIMM连接器是小外形双列直插式存储器模块连接器“SODIMM”，并且DIMM连接器屏蔽罩是SODIMM连接器屏蔽罩。示例23。该示例包括示例21的元件，其中参考电压是接地参考。示例24。该示例包括示例21的元件，其中将DIMM连接器耦合到参考电压包括将DIMM连接器屏蔽罩的至少一个连接器耦合到主板PCB的表面上的着陆焊盘。例25。根据这个示例，提供了射频干扰“RFI”屏蔽罩。RFI屏蔽罩包括用于至少部分地容纳双列直插式存储器模块“DIMM”连接器的单元，其中用于至少部分地容纳DIMM连接器的单元至少部分地导电，其中用于至少部分地容纳DIMM连接器的单元限定孔以至少部分地接收DIMM的DIMM印刷电路板“PCB”。RFI单元包括用于将用于至少部分地容纳DIMM连接器的单元耦合到主板PCB的表面的耦合单元。示例26。根据该示例，提供了一种设备，其包括用于执行示例21至24中任一项的方法的单元。示例27。根据该示例，提供了一种计算机可读存储设备，其上存储有指令，所述指令当由一个或多个处理器执行时，导致包括根据示例21至24中任一项的方法的操作。这里采用的术语和表达用作描述的术语而非限制，并且在使用这些术语和表达时，无意排除所示和所述特征的任何等同物或其部分，并且认识到在权利要求的范围内可以进行各种修改。因此，权利要求旨在涵盖所有这些等同物。这里采用的术语和表达用作描述的术语而非限制，并且在使用这些术语和表达时，无意排除所示和所述特征的任何等同物或其部分，并且认识到在权利要求的范围内可以进行各种修改。因此，权利要求旨在涵盖所有这些等同物。

权利要求：1.一种针对小外形双列直插式存储器模块“SODIMM”连接器的射频干扰“RFI”屏蔽罩，包括：壳体构件，其用于至少部分地容纳SODIMM连接器，其中，所述SODIMM连接器包括导电体，其中，所述壳体构件至少部分地导电，其中，所述壳体构件限定孔以至少部分地接收SODIMM印刷电路板“PCB”；以及多个表面安装连接器，其用于将所述壳体构件耦合到PCB表面上的导电着陆焊盘。2.如权利要求1所述的RFI屏蔽罩，其中，所述壳体构件是矩形的。3.如权利要求1所述的RFI屏蔽罩，其中，所述孔被限定为以与所述PCB表面平行的取向至少部分地接收所述SODIMMPCB。4.如权利要求1所述的RFI屏蔽罩，其中，所述孔被限定为以与所述PCB表面正交的取向至少部分地接收所述SODIMMPCB。5.如权利要求1所述的RFI屏蔽罩，其中，所述孔是第一孔，其中，所述壳体构件限定第二孔以至少部分地接收所述SODIMM连接器。6.如权利要求1所述的RFI屏蔽罩，其中，所述PCB表面是主板PCB。7.如权利要求1所述的RFI屏蔽罩，其中，所述多个表面安装连接器围绕所述壳体构件的边缘设置，当所述壳体构件耦合到所述PCB表面时，所述边缘接近所述PCB表面。8.如权利要求1所述的RFI屏蔽罩，其中，所述多个表面安装连接器是至少一个第一连接器，其中，所述RFI屏蔽罩还包括：第二多个连接器，其设置在所述孔内，以将所述壳体构件耦合到所述SODIMMPCB。9.如权利要求8所述的RFI屏蔽罩，其中，所述第二多个连接器包括设置在所述孔内的所述壳体构件上的多个引脚，其中，所述多个引脚中的至少一些引脚用于在所述SODIMMPCB在所述孔内被接收时提供针对所述SODIMMPCB的弹簧张力。10.如权利要求1所述的RFI屏蔽罩，其中，所述壳体构件至少部分地屏蔽来源于所述SODIMM连接器的射频“RF”辐射。11.如权利要求1所述的RFI屏蔽罩，其中，所述壳体构件是金属。12.一种系统，包括：一种小外形双列直插式存储器模块“SODIMM”连接器，其用于安装到主板印刷电路板“PCB”，其中，所述SODIMM连接器包括导电体；以及针对所述SODIMM连接器的射频干扰“RFI”屏蔽罩，包括：壳体构件，其至少部分地容纳所述SODIMM连接器，其中，所述壳体构件至少部分地导电，其中，所述壳体构件限定孔以至少部分地接收SODIMM的SODIMMPCB；以及多个表面安装连接器，其用于将所述壳体构件耦合到所述主板PCB的表面上的导电焊盘。13.如权利要求12所述的系统，其中，所述孔被限定为以平行于所述表面的取向至少部分地接收所述SODIMMPCB。14.如权利要求12所述的系统，其中，所述孔是第一孔，其中，所述壳体构件限定第二孔以至少部分地接收所述SODIMM连接器。15.如权利要求12所述的系统，其中，所述多个表面安装连接器围绕所述壳体构件的边缘设置，所述边缘靠近所述主板PCB的表面。16.如权利要求12所述的系统，其中，所述多个连接器包括多个第一连接器，其中，所述RFI屏蔽罩还包括：多个第二连接器，其设置在所述孔内，以将所述壳体构件耦合到所述SODIMMPCB，其中，所述多个第二连接器包括设置在所述孔内的所述壳体构件上的多个引脚，其中，所述多个引脚中的至少一些引脚用于当所述SODIMMPCB在所述孔内被接收时，提供针对所述SODIMMPCB的弹簧张力。17.一种方法，包括：利用SODIMM连接器屏蔽罩来至少部分地包围小外形双列直插式存储器模块“SODIMM”连接器；以及将所述SODIMM连接器安装到主板印刷电路板“PCB”的表面，以将所述SODIMM连接器屏蔽罩耦合到参考电压，以至少部分地阻止来自所述SODIMM连接器的射频“RF”发射。18.如权利要求17所述的方法，其中，所述参考电压是接地参考。19.如权利要求17所述的方法，其中，将所述SODIMM连接器耦合到参考电压包括将所述SODIMM连接器屏蔽罩的所述多个表面安装连接器耦合到所述主板PCB的表面上的着陆焊盘。20.一种针对小外形双列直插式存储器模块“SODIMM”连接器的射频干扰“RFI”屏蔽罩，包括：壳体单元，其用于至少部分地容纳SODIMM连接器，其中，所述SODIMM连接器包括导电体，其中，所述壳体单元限定孔以至少部分地接收SODIMM印刷电路板“PCB”；以及表面安装连接器单元，其用于将所述壳体单元耦合到PCB表面上的导电着陆焊盘。21.如权利要求20所述的RFI屏蔽罩，其中，所述壳体单元是矩形的。22.如权利要求20所述的RFI屏蔽罩，其中，所述孔被限定为以与所述PCB表面平行的取向至少部分地接收所述SODIMMPCB。23.如权利要求20所述的RFI屏蔽罩，其中，所述孔被限定为以与所述PCB表面正交的取向至少部分地接收所述SODIMMPCB。24.一种包括用于执行如权利要求17至19中任一项所述的方法的单元的设备。25.一种其上存储有指令的计算机可读存储设备，所述指令当由一个或多个处理器执行时，导致包括以下操作的操作：如权利要求17至19中任一项所述的方法。

百度查询： 英特尔公司 用于减少射频干扰（RFI）的SODIMM连接器屏蔽罩