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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日：2019-08-22
公开（公告）日：2019-11-26
公开（公告）号：CN110504217A
专利技术分类：........互补场效应晶体管，例如CMOS[2006.01]
专利摘要：本发明涉及晶体管的制造方法及晶体管，涉及半导体集成电路制造技术，在晶体管的侧墙的形成过程中，将侧墙分两次工艺形成，并使第二次形成的侧墙较易去除，在进行晶体管的轻掺杂漏注入工艺后去除第二次形成的侧墙，然后完成源漏注入工艺、形成金属栅极以及形成金属互联结构而形成半导体器件中的晶体管，如此在不影响晶体管的期望的源漏极之间的距离，以及栅极到源漏极之间的距离的基础上，减小了由金属栅极和金属互联结构形成的金属电极与位于金属电极之间的介质层形成的电容值，因此可降低电子停留时间，提高组件的运作速度。
专利权项：1.一种晶体管的制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底，在半导体衬底上包括由隔离结构隔离出的多个有源区，在有源区内形成阱结构，并在阱结构区域的半导体衬底表面形成多晶硅栅结构；S2：进行侧墙工艺，在多晶硅栅结构的侧面形成侧墙，其中侧墙包括第一层侧墙和第二层侧墙，并形成第二层侧墙时的沉积工艺为空心阴离子镀沉积；S3：进行轻掺杂漏注入工艺；S4：去除第二层侧墙；S5：进行源漏注入工艺，在多晶硅栅结构的两侧形成晶体管的源区和漏区；S6：去除多晶硅栅极，在多晶硅栅极的去除区域填充金属以形成金属栅极；以及S7：形成将金属栅极、源区和漏区引出的金属互联结构，以形成半导体器件的晶体管。
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 晶体管的制造方法及晶体管
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