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申请/专利权人：西北大学

摘要：本发明公开了一种Bi2S3‑HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备方法，包括：步骤一：准备第一燃烧管，取HfCl4粉末置于温区二中心下游方向，取硫粉置于温区二中心上游方向，取基底置于温区一中心处；步骤二：对第一燃烧管密封并进行真空处理后，通过进气口向第一燃烧管内通入惰性气体和还原性气体后，对第一燃烧管的各温度区进行加热，制备得到HfS2薄膜；步骤三：准备第二燃烧管，取Bi2O3粉末置于温区三中心处，取硫粉置于温区四中心上游方向，将步骤二制得的HfS2薄膜作为新基底置于温区三中心下游方向；步骤四，对第二燃烧管密封并进行真空处理后，向第二燃烧管内通入惰性气体后，对第一燃烧管的各温度区进行加热，得到Bi2S3‑HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜。

主权项：1.一种Bi2S3-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一，取HfCl4粉末置于温区二104中心下游方向，取硫粉置于温区二104中心上游方向，取基底置于温区一103中心处；步骤二，对第一燃烧管1密封并通过第一出气口102进行真空处理后，通过第一进气口101向第一燃烧管1内通入惰性气体和氢气后，对第一燃烧管1的各温区进行加热，制备得到HfS2薄膜；步骤三，取Bi2O3粉末置于温区三203中心处，取硫粉置于温区四204中心上游方向，将步骤二制得的HfS2薄膜作为新基底置于温区三203中心下游方向；步骤四，对第二燃烧管2密封并通过第二出气口202进行真空处理后，通过第二进气口201向第二燃烧管2内通入惰性气体后，对第二燃烧管2的各温区进行加热，得到Bi2S3-HfS2范德瓦尔斯异质结薄膜；所述步骤一中HfCl4粉末置于温区二104中心下游方向6.5cm～7.5cm处，硫粉置于温区二104中心上游方向8.5cm～9.5cm处；、所述步骤二中通入的惰性气体为氩气，气流速度为80sccm～100sccm，氢气气流速度为10sccm～20sccm，温区一103中心的加热温度为850℃～870℃，温区一103从上游方向到下游方向的温度范围为710℃～660℃，温区二104中心的加热温度为240℃～260℃，温区二104从上游方向到下游方向的温度范围为200℃～380℃，各温区的升温时间均为30min～40min，待各温区到达目标温度后保持5min～10min；所述步骤三中硫粉置于温区四204中心上游方向8.0cm～9.0cm处，HfS2薄膜置于温区三203中心下游方向1.0cm～1.5cm处；所述步骤四中，通入的惰性气体为氩气，流速设置为100sccm～150sccm，温区三203中心的加热温度为615℃～625℃，温区三203从上游方向到下游方向的温度范围为560℃～520℃，温区四204中心的加热温度为190℃～210℃，温区四204从上游方向到下游方向的温度范围为170℃～300℃，各温区的升温时间均为30min～40min，待各温区到达目标温度后保持3min～5min；实现上述方法采用的装置包括第一燃烧管1与第二燃烧管2，所述第一燃烧管1包括第一进气口101与第一出气口102，所述第一燃烧管1中靠近第一出气口102的一端设有温区一103，靠近第一进气口101的一端设有温区二104，所述第一进气口101方向为上游方向，第一出气口102方向为下游方向；所述第二燃烧管2包括第二进气口201与第二出气口202，所述第二燃烧管2中靠近第二出气口202的一端设有温区三203，靠近第二进气口201的一端设有温区四204，所述第二进气口201方向为上游方向，第二出气口202方向为下游方向。

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