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申请/专利权人：北方民族大学
摘要：一种提拉法生长组分均匀硅酸铋Bi4Si3O12,BSO晶体的方法，该方法采用提拉法生长硅酸铋单晶，在硅酸铋晶体生长过程中，调整硅酸铋晶体生长过程中的提拉速度不恒定，或调整硅酸铋晶体生长过程中的旋转速度不恒定，以使生长的硅酸铋晶体组分均匀，采用本发明的方法，在提拉法生长硅酸铋Bi4Si3O12,BSO非一致熔融晶体过程中，依照一定的曲线改变晶体生长过程中的提拉速度、旋转速度，使得硅酸铋晶体生长过程中的提拉速度不恒定，或硅酸铋晶体生长过程中的旋转速度不恒定，可有效改善硅酸铋晶体成分的不均匀性。
主权项：1.一种提拉法生长组分均匀硅酸铋晶体的方法，其特征在于，该方法采用提拉法生长硅酸铋单晶，在硅酸铋晶体生长过程中，调整硅酸铋晶体生长过程中的提拉速度逐渐减小，且调整硅酸铋晶体生长过程中的旋转速度逐渐增大，以使生长的硅酸铋晶体组分均匀；其中，在硅酸铋晶体的生长过程中，初始旋转速度为8rmin，旋转速度以3rh的速度逐渐增大，且旋转速度增幅以0.05rh逐渐减小，初始提拉速度为7mmh，提拉速度以0.5mmh的速度逐渐降低，且提拉速度降幅以0.025mmh逐渐增大。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北方民族大学 提拉法生长组分均匀硅酸铋(Bi4Si3O12,BSO)晶体的方法
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