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DDR5 1RANK RGB UDIMM内存模组 

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申请/专利权人:深圳市金泰克半导体有限公司

摘要:本申请涉及一种DDR51RANKRGBUDIMM内存模组,包括:DDR5颗粒组:包括分布于内存多个DDR5颗粒,用于存储输入所述DDR5颗粒的数据,ODT终端匹配电路:用于将命令地址信号线CMDADDR及控制信号线CTL上的信号上拉到VTT电压,以终结所述数据信号线DQDQS上的信号;串接匹配电路:用于调整所述数据信号线DQDQS上的电压;EEPROM芯片:用于存储所述DDR5颗粒组的SPD信息;PMIC电源电路:用于为所述DDR5颗粒组以及EEPROM芯片供电;RGB灯组:包括多个RGBLED灯,用于发光;RGBMCU:用于驱动所述RGB灯组;RGB电源电路:用于变换所述PMIC电源电路的输出电压后为所述RGB灯组和所述RGBMCU供电。本申请采用单通道地址命令寻址方式,提供更高的性能,且增加内存模组的科技感。

主权项:1.一种DDR51RANKRGBUDIMM内存模组,其特征在于,包括:DDR5颗粒组:包括分布于内存的多个DDR5颗粒,用于存储输入所述DDR5颗粒的数据,其中,单个所述DDR5颗粒对外引出的引脚包括:时钟信号线CLK、命令地址信号线CMDADDR、控制信号线CTL,以及数据信号线DQDQS,所述DDR5颗粒组中的多个DDR5颗粒对应的所述时钟信号线CLK,所述命令地址信号线CMDADDR以及所述控制信号线CTL与内存金手指根据Fly-By拓扑结构连接,所述DDR5颗粒组中每颗DDR5颗粒的数据信号线DQDQS与所述内存金手指点对点连接;ODT终端匹配电路:一端引出的多个引脚分别与所述DDR5颗粒组对外引出的所述命令地址信号线CMDADDR、控制信号线CTL连接,另一端引出的一个引脚与所述内存金手指中VTT引脚连接,用于将所述命令地址信号线CMDADDR及控制信号线CTL上的信号上拉到VTT电压,以终结所述数据信号线DQDQS上的信号;串接匹配电路:一端引出的若干引脚分别与所述DDR5颗粒组对应的数据信号线DQDQS连接,另一端引出的若干引脚分别与所述内存金手指连接,用于调整所述数据信号线DQDQS上的电压;EEPROM芯片:用于存储所述DDR5颗粒组的SPD信息;PMIC电源电路:分别与所述DDR5颗粒组及所述EEPROM芯片连接,用于为所述DDR5颗粒组以及EEPROM芯片供电;RGB灯组:包括多个RGBLED灯,用于发光;RGBMCU:与所述RGB灯组连接,用于驱动所述RGB灯组;RGB电源电路:分别与所述PMIC电源电路、所述RGB灯组、所述RGBMCU连接,用于变换所述PMIC电源电路的输出电压后为所述RGB灯组和所述RGBMCU供电。

全文数据:

权利要求:

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