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申请/专利权人：华星光通科技股份有限公司
摘要：本发明公开一种具GSG共平面电极的直接调变激光二极管，具有半绝缘半导体基板、N型半导体层、发光层、P型半导体层、介电材料绝缘层、一P型电极以及两N型电极。其特征在于，该两N型电极设置于该N型半导体层沿着该介电材料绝缘层侧壁连接至该介电材料绝缘层上方形成共平面，该P型电极与该两N型电极是为GSG接地‑信号‑接地共平面电极。使用混合式共平面波导结构具有较高的直接调变速度，并且可与倒装技术整合，减少封装打线所造成的信号传输损耗并降低元件本身所造成之热效应，大幅提升高频与元件操作于高温时的光电特性。
主权项：1.一种具GSG共平面电极的直接调变激光二极管，具有半绝缘半导体基板、N型半导体层、发光层、P型半导体层、介电材料绝缘层、一P型电极以及两N型电极；其特征在于：该两N型电极设置于该N型半导体层沿着该介电材料绝缘层侧壁连接至该介电材料绝缘层上方形成共平面，该P型电极与该两N型电极是为接地-信号-接地共平面电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华星光通科技股份有限公司 具GSG共平面电极的直接调变激光二极管及其制造方法
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