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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2021-11-17
公开（公告）日：2022-05-27
公开（公告）号：CN114551235A
专利技术分类：.......绝缘层的刻蚀[2006.01]
专利摘要：一种方法，包括：将基材提供在基材加工设备的加工腔室中，该基材具有包含氧化硅膜的第一区域和包含除了氧化硅膜之外的膜的第二区域；将氟化氢吸附在基材上；以及将具有吸收的氟化氢的基材暴露于由惰性气体生成的等离子体，以相对于第二区域选择性地蚀刻第一区域。
专利权项：1.一种方法，包括：将基材提供在基材加工设备的加工腔室中，所述基材具有包含氧化硅膜的第一区域和包含除了所述氧化硅膜之外的膜的第二区域；将氟化氢吸附在所述基材上；以及将具有吸收的氟化氢的所述基材暴露于由惰性气体生成的等离子体，以相对于所述第二区域选择性地蚀刻所述第一区域。
百度查询： 东京毅力科创株式会社 基材加工方法和基材加工设备
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