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申请/专利权人：天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)

摘要：本发明公开了一种Mo掺杂型AlCrSiNMo自润滑薄膜及其制备方法，属于薄膜及其制备技术领域。所述AlCrSiNMo自润滑薄膜是将Mo元素掺杂进AlCrSiN薄膜中制备而成，Mo元素的掺杂量为0.3～6.3at.％，该薄膜采用高功率脉冲磁控溅射和脉冲直流磁控溅射复合镀膜技术在基体上制备而成。所制备的AlCrSiNMo自润滑薄膜硬度高、韧性好，具备优良的减摩特性，可以显著降低刀‑屑间的摩擦，具有较好的化学稳定性及易剪切的润滑特性。

主权项：1.一种Mo掺杂型AlCrSiNMo自润滑薄膜，其特征在于：所述AlCrSiNMo自润滑薄膜是将Mo元素掺杂进AlCrSiN薄膜中制备而成；Mo元素的掺杂量为0.3~6.3at.%；按原子百分比计，所述AlCrSiNMo自润滑薄膜的化学组成如下：Al14.3~25.5at.%，Cr14.3~36.2at.%，Si1.6~3.4at.%，N33.6~56.9at.%，Mo0.3~6.3at.%；所述AlCrSiNMo自润滑薄膜为多相复合结构，当Mo元素掺杂进AlCrSiN薄膜时，Mo原子替换Al,CrN晶格中的Al和或Cr原子位形成置换固溶体，所述AlCrSiNMo自润滑薄膜包含AlN、CrN和Mo2N纳米晶相；所述Mo掺杂型AlCrSiNMo自润滑薄膜的制备方法，该方法是采用高功率脉冲磁控溅射和脉冲直流磁控溅射镀膜技术在基体表面沉积所述AlCrSiNMo自润滑薄膜，具体包括如下步骤：（1）将基体固定于真空室内旋转架上，然后将真空室本底真空度抽至3.0×10-3Pa以上，Cr靶连接电弧电源，CrMo靶连接高功率脉冲磁控溅射电源，AlCrSi靶连接脉冲直流磁控溅射电源；（2）先对基体进行辉光放电清洗，去除表面杂质；然后再进行离子轰击清洗，以提高膜基结合力；（3）制备CrN过渡层；（4）制备AlCrSiNMo自润滑薄膜：沉积完CrN过渡层，调节偏压至-50~-150V，再通入流量为50~150sccm的反应气体N2，流量为50~250sccm的Ar，N2和Ar总流量为300sccm，保持沉积压强在1.0~2.5Pa，控制CrMo靶溅射功率为0.1~0.9kW，AlCrSi靶溅射功率为0.2~1.5kW，获得AlCrSiNMo自润滑薄膜。

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