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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法，采用ZEP‑520A电子束抗蚀剂作为双层胶的底层胶，AR‑P6200型电子束抗蚀剂作为双层胶的顶层胶。本发明采用的两种抗蚀剂均可在邻二甲苯中显影，且去胶过程可于相同步骤中同时进行，工艺更为简单，通过与多种溶剂配合实现曲折纳米线结构的溶胶剥离；同时，利用两种抗蚀剂中心剂量的差距实现底切结构，具有流程简单、重复性好等优点。
主权项：1.一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法，包括：1清洗基片后烘干，在基片上旋涂ZEP-520A电子束抗蚀剂作为双层胶的底层胶，烘干；随后在底层胶上旋涂AR-P6200型电子束抗蚀剂作为双层胶的顶层胶，烘干；2电子束曝光SNSPD器件纳米线结构，对双层胶进行曝光；对曝光后的双层胶利用邻二甲苯同时显影、定影、吹干，得到底切结构光刻图形；3然后在上述得到的底切结构光刻图形上生长超导材料；最后利用多种溶剂同时去除顶层胶与底层胶，完成剥离工艺，得到所需曲折纳米线图形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种用于SNSPD器件纳米线结构的双层胶剥离方法
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