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一种基于HfS2为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法 

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申请/专利权人:华南理工大学

摘要:本发明公开了一种基于HfS2为空穴传输层的有机太阳能电池及其制备方法。该有机太阳能电池结构从下至上包括阳极层、空穴传输层、活性层、电子传输层以及阴极层;所述空穴传输层为HfS2。本发明的有机太阳能电池以HfS2作为空穴传输层代替传统的PEDOT:PSS,克服PEDOT:PSS的弱酸性对ITO、活性层的腐蚀以及PEDOT:PSS本身的低电导率缺点,同时提高太阳能电池的稳定性和转化效率。本发明采用液相剥离法制备二HfS2空穴传输层,具有工艺简单、易于调控的特点,制备的HfS2薄膜平整、致密;同时,制备HfS2过程在室温中进行,无需高温加热处理。

主权项:1.一种基于HfS2为空穴传输层的有机太阳能电池,其特征在于,所述有机太阳能电池结构从下至上包括阳极层、空穴传输层、活性层、电子传输层以及阴极层;所述空穴传输层为HfS2;所述基于HfS2为空穴传输层的有机太阳能电池的制备方法包括如下步骤:(1)对阳极层表面进行等离子体处理10~15分钟;(2)将HfS2前驱液以1000~3000rpm转速旋涂在步骤(1)所述处理后的阳极层表面上,保护气氛下80~100℃退火处理5~10分钟形成基于HfS2的空穴传输层;(3)在步骤(2)所述HfS2空穴传输层上旋涂活性层前驱液,干燥后以100~120℃退火7~10分钟得活性层;(4)在步骤(3)所述活性层上旋涂电子传输层前驱液,形成电子传输层;(5)在步骤(4)所述电子传输层上蒸镀阴极层。

全文数据:

权利要求:

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