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申请/专利权人：南宁师范大学
摘要：本发明公开了一种在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法，其在氧氛围下，对Hastelloy合金基带进行退火处理，退火处理条件为：升温速率为0.7‑55℃s，升温至850‑900℃，恒温5‑30min，然后自然冷却至室温；然后在经退火处理的Hastelloy合金基带表面制备CeO2薄膜。本发明方法通过对Hastelloy合金基带进行预处理，使其表面生成以NiO为主的金属氧化物薄膜，改善其表面环境，从而创造出适宜CeO2薄膜择优取向的条件，解决了以往方法所生长的CeO2薄膜多为111取向的问题，同时相较于其他预处理方法，显著降低了成本和难度。
主权项：1.在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法，其特征在于，在氧氛围下，对Hastelloy合金基带进行退火处理；然后在经退火处理的Hastelloy合金基带表面制备CeO2薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南宁师范大学 在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法
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