买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:南宁师范大学
摘要:本发明公开了一种在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法,其在氧氛围下,对Hastelloy合金基带进行退火处理,退火处理条件为:升温速率为0.7‑55℃s,升温至850‑900℃,恒温5‑30min,然后自然冷却至室温;然后在经退火处理的Hastelloy合金基带表面制备CeO2薄膜。本发明方法通过对Hastelloy合金基带进行预处理,使其表面生成以NiO为主的金属氧化物薄膜,改善其表面环境,从而创造出适宜CeO2薄膜择优取向的条件,解决了以往方法所生长的CeO2薄膜多为111取向的问题,同时相较于其他预处理方法,显著降低了成本和难度。
主权项:1.在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法,其特征在于,在氧氛围下,对Hastelloy合金基带进行退火处理;然后在经退火处理的Hastelloy合金基带表面制备CeO2薄膜。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 南宁师范大学 在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。