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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明涉及一种PDSOI器件经时击穿与总剂量辐照耦合实验方法，包括以下步骤：S1：获取PDSOI器件作为待测样品，将所述待测样品分为两组；并设置实验温度为T1；S2：对第一组待测样品进行预热，温度达到T1后进行经时击穿实验；S3：对第二组待测样品进行总剂量辐照实验；S4：对进行总剂量辐照实验后的第二组待测样品进行预热，温度达到T1后进行经时击穿实验；S5：将两组待测样品的实验数据进行分类并进行分析。该实验方法对PDSOI的经时击穿效应与总剂量辐照效应两者进行耦合，在特定温度下对器件施加应力，得到不同环境温度下这两种效应相互耦合后对器件敏感参数产生的退化数据，实验中的条件设置可以根据需求灵活改变。
主权项：1.一种PDSOI器件经时击穿与总剂量辐照耦合实验方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：获取PDSOI器件作为待测样品，将所述待测样品分为两组；并设置实验温度为T1；S2：对第一组待测样品进行预热，温度达到T1后进行经时击穿实验；S3：对第二组待测样品进行总剂量辐照实验；S4：对进行总剂量辐照实验后的第二组待测样品进行预热，温度达到T1后进行经时击穿实验；S5：将两组待测样品的实验数据进行分类并进行分析。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种PDSOI器件经时击穿与总剂量辐照耦合效应的实验方法
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