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申请/专利权人：厦门大学;昆山厦大创新中心
摘要：一种光增强消除折回现象的逆导型IGBT器件，由多个元胞并联形成，各元胞包括P型掺杂集电区、N型掺杂集电区、N型掺杂漂移区、N型掺杂缓冲层、N型掺杂漂移区、P型掺杂的阱区、N型掺杂的源区、P型掺杂的基区、P型掺杂的沟道区、氧化层、栅极电极、发射极电极、集电极电极、LED元胞；该器件通过将IGBT的顶部栅极开孔，使用在栅极内部集成LED元胞的方法，使得光线入射到JFET区，并且产生光生载流子，增大器件的导通电流，消除逆导型IGBT器件的折回Snap‑back现象，并且可以使器件获得更好的续流特性。
主权项：1.一种光增强消除折回现象的逆导型IGBT器件，其特征在于：由多个元胞并联形成，各所述元胞的结构包括：P型掺杂集电区1、N型掺杂集电区2、N型掺杂漂移区3、N型掺杂缓冲层4、N型掺杂漂移区5、P型掺杂的阱区6、N型掺杂的源区7、P型掺杂的基区8、P型掺杂的沟道区9、氧化层10、栅极电极11、发射极电极12、集电极电极13、LED元胞14；所述N型掺杂漂移区3位于P型掺杂集电区1和N型掺杂集电区2的上方；所述N型掺杂缓冲层4位于N型掺杂漂移区3的上方；所述N型掺杂漂移区5位于所述N型掺杂缓冲层4的上方；所述P型掺杂的阱区6位于N型漂移区5的上方；所述N型掺杂的源区7位于P型掺杂的阱区6的内部；所述P型掺杂的基区8位于P型掺杂的阱区6的内部；P型掺杂的沟道区9位于JFET区和N型掺杂的源区7之间；所述氧化层10位于P型掺杂的沟道区9和JFET区的上方；所述栅极电极11位于氧化层10的上方；所述发射极电极12位于N型掺杂的源区7与P型掺杂的基区8的上方；所述集电极电极13位于P型掺杂集电区1和N型掺杂集电区2的下方；所述LED元胞14位于氧化层10的上方。
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权利要求：
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