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一种应用于HDP CVD设备腔室的冷却系统 

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申请/专利权人:盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司

摘要:本发明提供了一种应用于HDPCVD设备腔室的冷却系统,其包括腔室本体和冷却组件,腔室本体的顶部具有陶瓷穹顶,陶瓷穹顶由顶部向下依次设置有顶部射频线圈、接地屏蔽件和侧部射频线圈,陶瓷穹顶的顶部还设置有用于向HDPCVD设备腔室内通入气体的顶部进气组件,冷却组件包括第一冷却板和第二冷却板,第一冷却板包括第一环状本体和设置于第一环状本体内的第一容纳腔,第二冷却板包括第二环状本体和设置于第二环状本体内的第二容纳腔,第一容纳腔和第二容纳腔内分别填充有相变材料。本发明利用相变材料对顶部射频线圈、接地屏蔽件、侧部射频线圈和顶部进气组件进行冷却,消除水冷方式的冷却水泄漏的风险,简化设备结构,降低系统能耗。

主权项:1.一种应用于HDPCVD设备腔室的冷却系统,其特征在于,包括腔室本体和冷却组件,所述腔室本体的顶部具有陶瓷穹顶,所述陶瓷穹顶由顶部向下依次设置有顶部射频线圈、接地屏蔽件和侧部射频线圈,所述接地屏蔽件和所述侧部射频线圈相间隔设置,所述陶瓷穹顶的顶部还设置有用于向所述HDPCVD设备腔室内通入气体的进气管顶部进气组件;所述冷却组件包括第一冷却板和第二冷却板,所述第一冷却板包括第一环状本体和设置于所述第一环状本体内的第一容纳腔,所述第一环状本体设置于所述顶部射频线圈上方,且所述第一环状本体套设于所述顶部进气组件的外部;所述第二冷却板包括第二环状本体和设置于所述第二环状本体内的第二容纳腔,所述第二环状本体套设于所述侧部射频线圈的外部,且所述第二环状本体的顶部与所述接地屏蔽件的底部抵接;其中,所述第一容纳腔和所述第二容纳腔内分别填充有相变材料。

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