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申请/专利权人：赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司

摘要：本申请提供了一种同轴线GSG接头的制作方法及同轴线GSG接头，在满足技术要求及性能指标的前提下，通过将同轴线GSG接头结构的制作过程的步骤分步设置在衬底基板的正反两面，可以在一定程度上改善现有技术采用衬底基板单面重复堆叠的制作过程中，所带来的光刻胶气泡残留等缺陷，以及金属连接虚弱等问题，因而可以保证最终得到的同轴线GSG接头的性能优异，具备独立性及灵活应用性。

主权项：1.一种同轴线GSG接头的制作方法，其特征在于，包括：步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成介质支撑层，所述介质支撑层沿横向间隔分布；步骤S2、在所述衬底基板与介质支撑层上沉积第一金属层，对所述第一金属层进行光刻图案化，得到第一层内导体种子层及第一层外导体种子层；其中，所述第一层内导体种子层位于第一层外导体种子层之间，且沿纵向间隔分布；步骤S3、在所述衬底基板、介质支撑层、第一层内导体种子层与第一层外导体种子层上沉积第一层光刻胶，并在所述第一层光刻胶上光刻第一图形；根据所述第一图形在所述第一层内导体种子层上沉积第一层内导体，在所述第一层外导体种子层上沉积第一层外导体；其中，所述第一层内导体与第一层内导体种子层的位置对应，所述第一层外导体与第一层外导体种子层的位置对应；步骤S4、在所述第一层内导体、第一层外导体及所述第一层光刻胶上沉积第二层光刻胶，并在所述第二层光刻胶上光刻第二图形；步骤S5、根据所述第二图形在所述第一层外导体上沉积第二层外导体，所述第二层外导体与所述第一层外导体的位置对应，所述第二层外导体沿纵向具有第一间隔；步骤S6、在所述第二层光刻胶上及第二层外导体上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行光刻图案化，得到顶层外导体种子层；步骤S7、在所述第二层光刻胶上及顶层外导体种子层上沉积第三层光刻胶，并在所述第三层光刻胶上光刻第三图形；根据所述第三图形在所述第二层光刻胶及顶层外导体种子层上沉积顶层外导体，所述顶层外导体与顶层外导体种子层的位置对应，所述顶层外导体与顶层外导体种子层中具有开孔；步骤S8、提供载板，将载板临时键合于所述第三层光刻胶层及顶层外导体上；步骤S9、在所述衬底基板远离载板的一侧沉积第四层光刻胶，并在所述第四层光刻胶上光刻第四图形；根据所述第四图形将所述衬底基板制作通孔，先去除所述第四层光刻胶，再在通孔中沉积第二层内导体和第三层外导体；其中，所述第二层内导体与第一层内导体的边缘位置对应，第三层外导体与所述介质支撑层的位置对应且通过第一层外导体种子层与第一层外导体相连，所述第三层外导体沿纵向具有第二间隔；步骤S10、在所述衬底基板、第二层内导体及第三层外导体上沉积第三金属层，对所述第三金属层进行光刻图案化，得到底层内导体种子层与底层外导体种子层；在所述衬底基板、底层内导体种子层与底层外导体种子层上沉积第五层光刻胶，并在所述第五层光刻胶上光刻第五图形；根据所述第五图形在所述底层内导体种子层上沉积底层内导体，在所述底层外导体种子层上沉积底层外导体，再去除所述第五层光刻胶；其中，所述底层内导体与底层内导体种子层的位置对应，所述底层外导体与底层外导体种子层的位置对应；步骤S11、先将所述载板解键合，再去除所述第一层光刻胶、第二层光刻胶及第三层光刻胶，最后去除所述衬底基板，得到同轴线GSG接头。

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