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申请/专利权人：杭州电子科技大学
申请日：2023-03-13
公开（公告）日：2023-10-24
公开（公告）号：CN116937090A
主分类号：H01P1/20
分类号：H01P1/20;H01P1/203
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2023.11.10#实质审查的生效;2023.10.24#公开
摘要：本发明公开了一种宽阻带的类FSIW双频带滤波器，包括顶层金属层、中间金属层、底层金属层、介质层、第一金属化通孔阵列、第二金属化通孔阵列、第三金属化通孔阵列、输入输出端口。利用类FSIW矩形腔体的第一和第二模式分别构建滤波器的第一、第二通带，通过改变类FSIW矩形腔折叠处的矩形缺口宽度使腔体可以调节第二模式的谐振频率，而不改变第一、第三模式的谐振频率，从而在在第二通带频率独立可调的同时有效提高了双频带滤波器阻带带宽。
主权项：1.一种宽阻带的类FSIW双频带滤波器，包括：介质层4；顶层金属层1，位于介质层4的上表面；底层金属层3，位于介质层4的下表面；中间金属层2，位于介质层4内；连接顶层金属层1、中间金属层2、底层金属层3的第一金属化通孔阵列5；连接中间金属层2和底层金属层3的第二金属化通孔阵列6；连接顶层金属层1和中间金属层2的第三金属化通孔阵列7；其特征在于：所述第一金属化通孔阵列5围合成两个连通矩形；所述两个连通矩形共用一公共侧壁，且公共侧壁开有耦合窗；所述两个连通矩形的外侧壁各自开有第一窗口、第二窗口；所述耦合窗无金属化通孔设置，所述第一窗口设有第二金属化通孔阵列6，所述第二窗口设有第三金属化通孔阵列7；所述顶层金属层1包括微带线1a、矩形金属贴片1c；所述微带线1a的一端与矩形金属贴片1c的其中一侧边连接，另一端作为滤波器的输入输出端口；所述矩形金属贴片1c的所述微带线1a两侧各自开有一条槽线1b；所述微带线1a与两条槽线1b均落在所述第一窗口内；所述底层金属层3与顶层金属层1形状相同且大小相等；以介质层4的几何中心为原点，所述顶层金属层1与底层金属层3中心对称；所述顶层金属层1、底层金属层3、中间金属层2、介质层4和第一金属化通孔阵列5共同构建两个类FSIW矩形腔，两个类FSIW矩形腔通过公共侧壁上的耦合窗连通；所述中间层金属层2为开有两个矩形缺口2a的金属贴片；所述两个矩形缺口2a分别位于两个类FSIW矩形腔折叠处。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州电子科技大学 一种宽阻带的类FSIW双频带滤波器
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