买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：西安智盛锐芯半导体科技有限公司

摘要：本发明涉及一种RGBY四色LED舞台灯，该舞台灯包括：灯壳1和设置于所述灯壳1内的四色LED光源2、散热基板3、聚光杯4、电源5、驱动板6、主板7，其中，所述四色LED光源2呈矩阵排布设置于所述散热基板3上且位于所述聚光杯4的杯底中心部位；所述四色LED光源2与所述驱动板6电连接，所述驱动板6和所述主板7电连接；所述电源5分别与四色LED光源2、所述驱动板6、所述主板7电连接。本发明实施例的RGBY四色LED舞台灯采用多色单芯片LED光源，且通过对外壳和散热基板的散热设计，使LED舞台灯散热效果增强，电路简单，控制更加灵活。

主权项：1.一种RGBY四色LED舞台灯，其特征在于，包括：灯壳1和设置于所述灯壳1内的四色LED光源2、散热基板3、聚光杯4、电源5、驱动板6、主板7，其中，所述四色LED光源2呈矩阵排布设置于所述散热基板3上且位于所述聚光杯4的杯底中心部位；所述四色LED光源2与所述驱动板6电连接，所述驱动板6和所述主板7电连接；所述电源5分别与四色LED光源2、所述驱动板6、所述主板7电连接；所述四色LED光源2采用RGBY四色LED单芯片；所述RGBY四色LED单芯片包括：蓝色发光材料、红色发光材料、绿色发光材料及黄色发光材料、SiO2隔离层、键合层、上电极及下电极；其中，所述蓝色发光材料包括依次层叠设置的第一GaN缓冲层、第一GaN稳定层、第一N型GaN层、第一InGaNGaN多量子阱层、第一P型AlGaN阻挡层及第一P型GaN层；其中，所述第一InGaNGaN多量子阱层包括相互层叠设置第一GaN量子阱层和第一InGaN量子阱层；每个所述红色发光材料包括依次层叠设置的第二GaN缓冲层、N型GaAs缓冲层、N型GaAs稳定层、GalnPA1GaInP多量子阱层、P型A1GaInP阻挡层及P型GaAs层；其中，所述GalnPA1GaInP多量子阱层包括相互层叠设置GalnP量子阱层和A1GaInP量子阱层；每个所述绿色发光材料包括依次层叠设置的第三GaN缓冲层、第二GaN稳定层、第二N型GaN层、第二InGaNGaN多量子阱层、第二P型AlGaN阻挡层及第二P型GaN层；其中，第二InGaNGaN多量子阱层包括相互层叠设置第二GaN量子阱层和第二InGaN量子阱层；所述黄色发光材料由所述红色发光材料和所述绿色发光材料构成；所述蓝色发光材料和所述红色发光材料之间，以及所述红色发光材料和所述绿色发光材料之间均设置有所述SiO2隔离层；所述键合层设置于所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料下方，且所述下电极设置于所述键合层下方，所述上电极分别位于所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料上方；所述驱动板6与所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料共用的所述下电极电连接，所述驱动板6还与所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料上方独立的上电极电连接；所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料设置于同一直线上；所述红色发光材料分布于所述蓝色发光材料的一侧的若干等间距间隔分布的红光凹槽内；所述绿色发光材料分布于与所述红光凹槽之间交错布置的绿色凹槽内。

全文数据：RGBY四色LED舞台灯技术领域[0001]本发明属于LED灯技术领域，具体涉及一种RGBY四色LED舞台灯。背景技术[0002]LED舞台灯是舞台灯具的一种，是把Lro灯珠做为光源应用到舞台灯光的一种新型灯具，随着LED技术的提高和成本的下降，LED技术将会在舞台灯光行业中发挥越来越重大的作用。LED舞台灯的性能是和LED技术紧密结合在一起，色彩丰富，红，绿，蓝三种颜色可以混合各种不同的色彩。[0003]LED因为色彩丰富、体积小已大量取代传统的舞台灯光源应用于舞台灯光照明，目如常用的LED全彩系列舞台灯光源主要包括两种方式，一种是分立式的RGBLED集成光源，另一类是线性封装的C0B光源，这两种封装形式的光源都存在一些问题和不足之处。分立式的RGBLH光源，即RGB三基色芯片分别封装在不同的器件中，这种光源虽然可以通过电路分别控制形成不同色光，但这种分立式的RGBLED光源仍属于点光源，它在应用时往往会存在以下问题或不足⑴在高光通量要求的场合，需要较多数量的RGBLED光源才能满足要求，因此光源所占空间体积大，成本高，安装拆卸等操作不方便。（2每个LH光源均是点光源，灯具内极易出现“点状效应”，即灯具内各个LED光源存在明显的亮点状，而且在进行灯具的二次光学设计时，混色困难，灯具的出光往往出现“多色斑效应”，即灯具的出光光斑存在不同颜色的分离。对于RGB三基色芯片线性排列的C0B封装光源，该封装结构为了使三种色光独立可控，将R、G、B三基色芯片各排成一列，最终光源出光混光不均匀，混光光斑呈条形彩带分。[0004]因此，如何提供一种高可靠性，高出光效率、高质量的多色LED舞台灯己经已经成为研宄热点问题。发明内容[0005]为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种RGBY四色LED舞台灯。[0006]本发明的一个实施例提供了一种RGBY四色LED舞台灯，包括：[0007]灯壳1和设置于所述灯壳1内的四色LK光源2、散热基板3、聚光杯4、电源5、驱动板6、主板7,其中，[0008]所述四色LED光源2呈矩阵排布设置于所述散热基板3上且位于所述聚光杯4的杯底中心部位;所述四色LED光源2与所述驱动板6电连接，所述驱动板6和所述主板7电连接；所述电源5分别与四色LED光源2、所述驱动板6、所述主板7电连接。[0009]在本发明的一个实施例中，所述四色LED光源2采用四色Lm单芯片。[0010]在本发明的一个实施例中，所述四色LED单芯片为RGBY四色LED单芯片。[0011]在本发明的一个实施例中，所述驱动板6包括:蓝光驱动电路、红光驱动电路、绿光驱动电路、黄光驱动电路，所述蓝光驱动电路、所述红光驱动电路、所述绿光驱动电路、所述黄光驱动电路均与所述RGBY四色LED单芯片电连接。[0012]在本发明的一个实施例中，所述RGBY四色LED单芯片为垂直型LED芯片。[0013]在本发明的一个实施例中，所述RGBY四色LED包括:蓝色发光材料、红色发光材料、绿色发光材料及黄色发光材料、隔离层、键合层、上电极及下电极。[0014]在本发明的一个实施例中，所述上电极包括:蓝光上电极、红光上电极、绿光上电极、黄光上电极，所述蓝光上电极与所述蓝光驱动电路电连接，所述红光上电极与所述红光驱动电路电连接，所述绿光上电极与所述绿光驱动电路电连接，所述黄光上电极与所述黄光驱动电路电连接。[0015]在本发明的一个实施例中，所述矩阵为圆形矩阵或者方型矩阵。[0016]在本发明的一个实施例中，所述外壳1的材料为金属铝。[0017]在本发明的一个实施例中，所述外壳1和所述散热基板3上均设置通风孔。[0018]本发明实施例的RGBY四色LED舞台灯采用多色单芯片LED光源，且通过对外壳和散热基板的散热设计，使LED舞台灯散热效果增强，电路简单，控制更加灵活。附图说明[0019]图1为本发明实施例提供的一种多色LED舞台灯的结构示意图；[0020]图2为本发明实施例提供的一种多色LED舞台灯的LED光源分布结构示意图；[0021]图3为本发明实施例提供的另一种多色LH舞台灯的led光源分布结构示意图；[0022]图4为本发明实施例提供的基于GaN材料的RGBY四色LH的结构示意图；[0023]图5为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的蓝色发光材料的结构示意图；[0024]图6为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的第一InGaNGaN多量子阱结构示意图；[0025]图7为本发明实施例提供的一种RGBY四色LH单芯片的红光凹槽的结构示意图；[0026]图S为本发明实施例提供的一种RGBY四色LM单芯片的红色发光材料的结构示意图；[0027]图9为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的GalnPAlGalnP多量子阱结构示意图；[0028]图10为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的绿光凹槽的结构示意图；[0029]图u为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的绿色发光材料的结构示意图；[0030]图12为本发明实施例提供的一种第二InGaNGaN多量子阱的结构示意图；[0031]图13为本发明实施例提供的一种垂直型双色LHD芯片的键合层的结构示意图；[0032]图14为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的俯视截面结构示意图|[0033]图15为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的侧视截面结构示意图:具体实施方式[0034]下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。[0035]实施例—[0036]请参见图1，图1为本发明实施例提供的一种多色LED舞台灯的结构示意图；该LED舞台灯包括：[0037]灯壳1和设置于所述灯壳1内的四色LED光源2、散热基板3、聚光杯4、电源5、驱动板6、主板7,其中，[0038]所述四色LED光源2呈矩阵排布设置于所述散热基板3上且位于所述聚光杯4的杯底中心部位;所述四色LED光源2与所述驱动板6电连接，所述驱动板6和所述主板7电连接；所述电源5分别与四色Lm光源2、所述驱动板6、所述主板7电连接。[0039]其中，所述四色LED光源2采用四色LH单芯片。[0040]其中，所述四色LED单芯片为RGBY四色LED单芯片。[0041]其中，所述驱动板6包括:蓝光驱动电路、红光驱动电路、绿光驱动电路、黄光驱动电路，所述蓝光驱动电路、所述红光驱动电路、所述绿光驱动电路、所述黄光驱动电路均与所述RGBY四色LED单芯片电连接。[0042]优选地，所述RGBY四色LED单芯片为垂直型LED芯片。[0043]其中，所述RGBY四色LED包括:蓝色发光材料、红色发光材料、绿色发光材料及黄色发光材料、隔离层、键合层、上电极及下电极。[0044]其中，所述上电极包括:蓝光上电极、红光上电极、绿光上电极、黄光上电极，所述蓝光上电极与所述蓝光驱动电路电连接，所述红光上电极与所述红光驱动电路电连接，所述绿光上电极与所述绿光驱动电路电连接，所述黄光上电极与所述黄光驱动电路电连接。[0045]其中，所述矩阵为圆形矩阵或者方型矩阵。[0046]优选地，所述外壳1的材料为金属铝，材质轻且散热好。[0047]优选地，所述外壳1和所述散热基板3上均设置通风孔。可以增加散热效率。[0048]本发明实施例的RGBY四色LED舞台灯采用多色单芯片LED光源，且通过对外壳和散热基板的散热设计，使LED舞台灯散热效果增强，电路简单，控制更加灵活。[0049]实施例二[0050]本发明实施例在上述实施例的基础上，具体对该RGBY四色WD舞台灯的详细结构和工作原理进行介绍，请再次参见图1和图4,图4为本发明实施例提供的RGBY四色LED单芯片的结构示意图，该RGBY四色LH舞台灯的RGBY四色LED单芯片包括：[0051]蓝色发光材料、红色发光材料、绿色发光材料及黄色发光材料、隔离层、键合层、上电极及下电极;其中，[0052]所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料均包括GaN材料且通过所述隔离层彼此绝缘；[0053]所述键合层设置于所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料下方，且所述下电极设置于所述键合层下方，所述上电极位于所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料上方。[0054]其中，所述蓝色发光材料包括依次层叠设置的第一GaN缓冲层、第一GaN稳定层、第一N型GaN层、第一InGaNGaN多量子阱层、第一P型AlGaN阻挡层及第一P型GaN层。[0055]其中，所述第一InGaNGaN多量子阱层包括相互层叠设置第一GaN量子阱层和第一InGaN量子阱层;其中，层叠周期为8〜30。[0056]其中，所述红光材料包括依次层叠设置的第二GaN缓冲层、N型GaAs缓冲层、N型GaAs稳定层、GalnPAlGalnP多量子阱层、P型AlGalnP阻挡层及P型GaAs层。[0057]其中，所述GalnPAlGalnP多量子阱层包括相互层叠设置GalnP量子阱层和AlGalnP量子阱层;其中，层叠周期为8〜30。[0058]其中，所述绿色发光材料包括依次层叠设置的第三GaN缓冲层、第二GaN稳定层、第二N型GaN层、第二InGaNGaN多量子阱层、第二P型AlGaN阻挡层及第二P型GaN层。[0059]其中，第二InGaNGaN多量子阱层包括相互层叠设置第二GaN量子阱层和第二InGaN量子阱层;其中，层叠周期为8〜30。[0060]其中，所述键合层包括依次设置于所述蓝色发光材料、所述红色发光材料、所述绿色发光材料及所述黄色发光材料下方的电极层、第一金属层、第二金属层及金属板材。[0061]其中，所述黄色发光材料由所述红色发光材料和所述绿色发光材料构成，且所述红色发光材料和所述绿色发光材料之间包括所述隔离层。[0062]本RGBY四色LED舞台灯的LED光源驱动原理如下：[0063]所述驱动板6的蓝光驱动电路、红光驱动电路、绿光驱动电路、黄光驱动电路分别与蓝色发光材料上的蓝光上电极、红光发光材料的红光上电极、绿光发光材料的绿光上电极、黄光发光材料的黄光上电极电连接，驱动板同时与RGBY四色LED单芯片的公用下电极电连接，各颜色的发光材料通过单独的驱动电路进行控制，通过分别改变各色发光材料的电流对色温进行调节，调节色温更加灵活。同时，黄光可以对蓝、红、绿合成的白光进行补强，大大增加色彩的表现力。[0064]其中，将各色发光材料集成到单一芯片上，芯片面积小因此整体RGBY四色LED舞台灯的体积也更小，并且，单一芯片集成度高，工艺简单，成本低，且可靠性更高。[0065]因此，本发明实施例的RGBY四色LED舞台灯采用多色单芯片LED光源，且通过对外壳和散热基板的散热设计，使LED舞台灯散热效果增强，电路简单，控制更加灵活。[0066]实施例三[0067]请一并参见图5至图15,图5为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的蓝色发光材料的结构示意图；图6为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的第一InGaNGaN多量子阱结构示意图；图7为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的红光凹槽的结构示意图；图8为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的红色发光材料的结构示意图；图9为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的GalnPAlGalnP多量子阱结构示意图；图10为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的绿光凹槽的结构示意图；图11为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的绿色发光材料的结构示意图；图12为本发明实施例提供的一种第二InGaNGaN多量子阱的结构示意图；图13为本发明实施例提供的一种垂直型双色LED芯片的键合层的结构示意图；图14为本发明实施例提供的一种RGBY四色LED单芯片的俯视截面结构示意图；图15为本发明实施例提供的一种RGBY四色LH单芯片的侧视截面结构示意图。[0068]本实施例在上述实施例的基础上，重点对RGBY四色LED单芯片的制备工艺进行详细描述。具体地，该制备工艺包括如下步骤：[0069]S01:生长蓝色发光材料。[0070]soil:选取Sic衬底11，衬底11的材料可以为蓝宝石或者SiC。在衬底11上生长厚度为3000-5000nm的蓝光GaN缓冲层101，生长温度为400-600°C;[0071]优选地，生长温度为500°C，蓝光GaN缓冲层101的厚度为4000nm。[0072]S012:升温至9〇〇-l〇5TC，在蓝光GaN缓冲层101上生长厚度为500nm-1500nm的蓝光GaN稳定层102;[0073]优选地，蓝光GaN稳定层102的生长温度为1〇〇〇°C，生长厚度为lOOOnm。[0074]S013:保持温度不变，在蓝光GaN稳定层102上生长200-lOOOnm掺Si的蓝光n型GaN层103，掺杂浓度为1X1〇18-5Xl〇19cm_3;[0075]优选地，蓝光n型GaN层103的生长温度为l〇〇〇°C，蓝光n型GaN层103的厚度为400nm，掺杂浓度为1X1〇19cnf3。[0076]S014:在蓝光n型GaN层103上生长蓝光InGaNGaN多量子阱结构作为蓝光有源层104，其中：蓝光InGaN量子阱104b的生长温度为650-750°C，蓝光GaN势垒104a的生长温度为750-850°C;蓝光InGaNGaN多量子讲周期为8-30,蓝光InGaN量子讲104b厚度为1.5-3.5nm，其中In的含量约为10-20%;蓝光GaN势垒104a厚度均为5-10nm;[0077]优选地，蓝光InGaN量子阱104b的生长温度为750°C，蓝光GaN势垒104a的生长温度为850°C，蓝光InGaN量子阱104b的厚度为2.8nm，蓝光GaN势垒104a的厚度为5nm，蓝光InGaNGaN多量子阱周期为20。[0078]其中，In含量依据光波长定，含量越高光波波长越长。[0079]S015:升温至850-950°C，在蓝光InGaNGaN多量子阱结构上生长10-40nm蓝光p型AlGaN阻挡层105。[0080]优选地，蓝光p型AlGaN阻挡层105的生长温度为900°C，其厚度为20nm。[0081]S016:在所述蓝光p型AlGaN阻挡层105上生长100-300nm的蓝光p型GaN层106,作为接触用。[0082]优选地，蓝光p型AlGaN阻挡层105生长温度为900°C，其厚度为200nm。[0083]S02:在所述蓝色发光材料上制备依次隔离的红光凹槽。[0084]S021:在蓝光p型GaN层106表面用PECVD方法淀积第一Si02层，厚度为300-800nm;[0085]优选地，所述第一Si02层的厚度为500mn。[0086]S022:在所述第一Si02层上用湿法刻蚀工艺刻蚀多个红光灯芯窗口，多个红光灯芯窗口之间为依次等间距间隔且设置于同一直线上。[0087]优选地，所述红光凹槽窗口为矩形，多个红光灯芯窗口之间的间隔距离等于矩形的长；[0088]优选地，矩形的长和宽均大于50微米，小于300微米。[0089]优选地，矩形的长和宽相等为100微米。[0090]S023:用干法刻蚀红光凹槽窗口下材料，一直刻蚀到SiC衬底11以形成绿光凹槽；[0091]S024:去掉剩余的第一Si02层；[0092]S025:在第一Si02层上淀积第二Si02层，第二Si〇2层厚度为20-100nm;[0093]优选地，第二Si02层厚度为50nm。[0094]S026:用干法刻蚀表面第二Si02层，在红光灯芯槽四周形成第一Si02隔离层12。[0095]S03:在所述第一红光凹槽内制备红色发光材料。[0096]S031:在红光凹槽中，生长红光GaN缓冲层201，厚度2000-3000nm。[0097]优选地，所述红光GaN缓冲层201的厚度为2500nm。[0098]S032:在所述红光GaN缓冲层201上生长红光n型GaAs缓冲层202,厚度1000-2000nm，掺杂浓度为1X1〇17-1xl〇18cm_3;[00"]优选地，红光n型GaAs缓冲层202厚度为1500nm，掺杂浓度为5Xl〇17cnf3。[0100]S033:生长红光n型GaAs稳定层203，500nm-1000nm的，捧杂浓度为1x1〇18-5X1019cm-3；[0101]优选地，红光n型GaAs稳定层203的厚度为200nm，掺杂浓度为1Xl〇19cm_3。[0102]SOM:在红光n型GaAs稳定层2〇3上生长红光GalnPAlGalnP多量子阱结构作为红光有源层204，量子阱周期为8-30，红光GalnP量子阱厚度为2-10nm，红光AlGalnP势垒204b厚度为5-10nm;其中A1的含量约为10-40%;[0103]优选地，红光GalnP量子讲厚度为7nm，红光AlGalnP势垒204b的厚度为7nm，Al含量依据光波长定，含量越高光波波长越长，周期20。[0104]S〇35:生长红光p型AlGalnP阻挡层2〇5,其中A1的含量大于30%，掺杂浓度为IX1017-1X1019Cnf3,厚度为1〇-500nm。[0105]优选地，红光p型AlGalnP阻挡层205中A1的含量为40%，红光p型AlGalnP阻挡层205厚度为lOOnm，掺杂浓度为1Xl〇18cm_3。[0106]S036:在红光p型AlGalnP阻挡层205上生长红光p型GaAs层作为红光接触层206,掺杂浓度为1X1〇17-1Xl〇19cnf3,厚度为l〇〇-5〇〇nm。[0107]优选地，红光接触层206中，厚度为150ntn，掺杂浓度为lX1018cm-3。[0108]S04:在所述蓝色发光材料上且在所述红色发光材料之间制备绿光凹槽。[0109]S041:在蓝光p型GaN层106表面用PECVD方法淀积第三Si02层，厚度为300-800nm;优选地，所述第三Si02层的厚度为500nm。[0111]S042:在所述第三Si02层上用湿法刻蚀工艺刻蚀多个绿光凹槽窗口，绿光凹槽窗口与红光凹槽窗口的大小相同，且位于所述红光凹槽窗口之间。[0112]优选地，所述绿光凹槽窗口为矩形，多个绿光凹槽窗口之间与所述红光凹槽窗口之间为交错布置；[0113]优选地，矩形的长和宽均大于50微米，小于300微米。[0114]优选地，矩形的长和宽相等为100微米。[0115]S043:用干法刻蚀绿光凹槽窗口下材料，一直刻蚀到Sic衬底11上；[0116]S044:去掉剩余的第三Si02层；[0117]S045:在第三Si〇2层上淀积第四Si〇2层，第四Si〇2层厚度为20-lOOnm;[0118]优选地，第四Si02层厚度为50nm。[0119]S046:用干法刻蚀表面第四Si02层，在绿光凹槽四周形成第Si02隔离层12。[0120]S05:在所述第一绿光凹槽内制备绿色发光材料。[0121]S051:在绿光凹槽中，生长厚度为3000_5〇〇〇nm的绿光GaN缓冲层301，生长温度为400-600。。；[0122]优选地，绿光GaN缓冲层301生长温度为500°C，厚度为4000nm。[0123]S052:升温至900-1050°C，在绿光GaN缓冲层301上生长厚度为500nm-150〇nm的绿光GaN稳定层302;[0124]优选地，绿光GaN稳定层3〇2生长温度为1000°C，厚度为lOOOnm。[0125]S〇53:温度不变，在绿光GaN稳定层3〇2上生长200-1000nm掺Si的绿光n型GaN层303，掺杂浓度为1X1018-5Xl〇19cm_3;[0126]优选地，绿光n型GaN层303的生长温度为1000°C，厚度为400nm，掺杂浓度为IX1019cnf3。[0127]S054:在绿光n型GaN层303上生长绿光InGaNGaN多量子阱结构作为绿光有源层304,其中绿光InGaN量子阱304b的生长温度为650-750°C，绿光GaN势垒304a的生长温度为750-850°C;量子阱周期为8-30，绿光InGaN量子阱304b厚度为1•5-3•5腫，其中In的含量约为30-40%;绿光GaN势垒厚度均为5-10nm。[0128]优选地，绿光InGaN量子阱304b生长温度为750°C，绿光GaN势垒304a生长温度为850°C、绿光InGaN量子阱304b厚度为2.8nm，绿光GaN势垒304a厚度为5nm，In含量依据光波长定，含量越高光波波长越长，量子阱周期为20。[0129]S055:升温至850-950°C，绿光InGaNGaN多量子阱结构上生长l〇_40nm的绿光p型AlGaN阻挡层305。[0130]优选地，绿光p型AlGaN阻挡层305的生长温度为900°C、绿光p型AlGaN阻挡层305的厚度为20nm。[0131]S056:在绿光p型AlGaN阻挡层305上生长100-300nm的绿光p型GaN层306,作为接触用。[0132]优选地，绿光p型GaN层306的生长温度为850°C，厚度为200nm。[0133]其中，对于绿光发光材料和红色发光材料，可以选择相邻的两个来制备成黄色发光材料。[0134]S06:在蓝色发光材料、绿光发光材料、红色发光材料及由绿光发光材料和红色发光材料形成的黄色发光材料上制备键合层。[0135]S061:在蓝色发光材料、绿光发光材料、红色发光材料及黄色发光材料表面采用滅射或者蒸发的方法制备电极层1020,材料为Ni、或者Au、或者NiAu及其与其它金属的合金，形成电极，厚度为lOOnm-lOOOnm;[0136]S062:在所述电极层1020上制备第一金属层1021;在电极层表面，采用溅射或者蒸发的方法制备一层Ni、或者Pb、或者NiPb合金、或者A1招）等反光性好的金属或金属合金制备第一金属层1021，厚度为300nm-1500nm;[0137]S063:选取金属板材1030并在所述金属板材上制备第二金属层1022;选取一个重掺杂Si片、或者铝板、铜板作为金属板材1030,采用溅射或者蒸发的方法制备第二金属层1〇22,第二金属层1022的材料与第一金属层1021的材料相同，厚度为500nm-2500nm;[0138]S064:将第一金属层1021与第二金属层1022进行键合形成键合层。将第一金属层1〇21与第二金属层1022紧贴在一起，在3〇〇--50TC的环境中，放置15—120分钟，实现第一金属层1021与第二金属层1022的键合，形成包括电极层1〇20、第一金属层1021、第二金属层1022、金属板材1030的键合层。[0139]S07:去除所述衬底11并制备上电极51;包括：[0M0]S071:用准分子激光器去除衬底11，将蓝光GaN缓冲层101、红光GaN缓冲层201、绿光GaN缓冲层301暴露出来；[0141]S072:在暴露的蓝光GaN缓冲层101、红光GaN缓冲层201、绿光GaN缓冲层301上利用光刻技术进行表面粗化；[0142]S073:在粗糙的蓝光GaN缓冲层101上制备N型电极即上电极51。[0143]S08:在所述键合层底部制备下电极。包括：[0144]S081:在键合层背面采用溅射或者蒸发的方法制备一层金属A1、或者Ni、或者其它导电性好的第三金属层；[0145]S082:对第三金属进行刻蚀，形成背面电极即下电极52并进行划片以形成RGBY四色LED单芯片。[0146]本实施例，RGBY四色LED单芯片包括一个蓝色发光材料、两个绿色发光材料和红色发光材料，隔离层实现蓝色发光材料、绿色发光材料和红色发光材料的完全的电学隔离，每个颜色的光强通过改变电流大小单独控制。因此，本发明实施例LH的制备方法将蓝色发光材料、绿色发光材料和红色发光材料制作在相同衬底之上，通过隔离层实现完全的电学隔离，工艺简单，且制备的双色Lm芯片散热型好，可单独控制各颜色的灯芯材料，光强大，颜色调节灵活，集成度高。[0147]另外，本发明还提供了一种RGBYLED，其可以由上述实施例的制备方法形成，其具有的有益效果与上述实施例的效果类似，此处不再赘述。[0148]最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

权利要求：1.一种RGBY四色LED舞台灯，其特征在于，包括:灯壳⑴和设置于所述灯壳⑴内的四色LED光源⑵、散热基板3、聚光杯⑷、电源5、驱动板6、主板7，其中，所述四色LED光源（2呈矩阵排布设置于所述散热基板3上且位于所述聚光杯4的杯底中心部位;所述四色LED光源2与所述驱动板6电连接，所述驱动板6和所述主板7电连接;所述电源⑸分别与四色LED光源⑵、所述驱动板⑹、所述主板⑺电连接。2.根据权利要求1的所述舞台灯，其特征在于，所述四色LED光源⑵采用四色LED单芯片。3.根据权利要求2的所述舞台灯，其特征在于，所述四色LED单芯片为RGBY四色LED单芯片。4.根据权利要求3的所述舞台灯，其特征在于，所述驱动板6包括:蓝光驱动电路、红光驱动电路、绿光驱动电路、黄光驱动电路，所述蓝光驱动电路、所述红光驱动电路、所述绿光驱动电路、所述黄光驱动电路均与所述RGBY四色LH单芯片电连接。5.根据权利要求4的所述舞台灯，其特征在于，所述RGBY四色LED单芯片为垂直型LED芯片。6.根据权利要求5的所述舞台灯，其特征在于，所述RGBY四色LED包括:蓝色发光材料、红色发光材料、绿色发光材料及黄色发光材料、隔离层、键合层、上电极及下电极。7.根据权利要求6的所述舞台灯，其特征在于，所述上电极包括:蓝光上电极、红光上电极、绿光上电极、黄光上电极，所述蓝光上电极与所述蓝光驱动电路电连接，所述红光上电极与所述红光驱动电路电连接，所述绿光上电极与所述绿光驱动电路电连接，所述黄光上电极与所述黄光驱动电路电连接。8.根据权利要求1的所述舞台灯，其特征在于，所述矩阵为圆形矩阵或者方型矩阵。9.根据权利要求1的所述舞台灯，其特征在于，所述外壳⑴的材料为金属铝。10.根据权利要求1的所述舞台灯，其特征在于，所述外壳（1和所述散热基板3上均设置通风孔。

百度查询： 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 RGBY四色LED舞台灯