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申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司
摘要：本发明提供一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiCUMOS及制备方法，该SiCUMOS包括：埋P层和N‑drift层；所述N‑drift层包括位于衬底上方的第一部分和位于所述埋P层之间的第二部分；所述N‑drift层的第二部分位于所述N‑drift层的第一部分的上方并与所述埋P层邻接；所述埋P层位于N‑drift层第二部分的两侧。本发明利用在N‑drift层两侧的埋P层来减小沟槽底部拐角处的电场强度，并且还增加了HK介质层和CSL层，用于平滑电场和减小SiCUMOS的导通电阻，解决了现有技术中采用P+屏蔽层保护栅极氧化层的同时提高了导通电阻的缺点，本发明在保护栅极氧化层的同时具有较低的导通电阻，提升了SiCUMOS的电流密度。
主权项：1.一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiCUMOS，其特征在于，包括：埋P层和N-drift层；所述N-drift层包括位于衬底上方的第一部分和位于所述埋P层之间的第二部分；所述N-drift层的第二部分位于所述N-drift层的第一部分的上方并与所述埋P层邻接；所述埋P层位于N-drift层第二部分的两侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种基于HK和埋P层保护沟槽栅氧层的SiC UMOS及制备方法
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