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申请/专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
摘要：一种三维存储架构包括存储单元的顶部单元阵列、存储单元的底部单元阵列、耦合到所述阵列的多条字线和位线。所述存储单元是相变存储器PCM单元，相变存储器PCM单元在纵向方向X方向和横向方向Y方向两者上的线间隔图案化期间通过湿法或干法工艺被修改为在这两个方向上减小单元大小。更小的PCM单元尺寸和截面面积导致了对该单元编程所需的电流更小。相邻存储单元之间的更大距离导致了更少的热串扰。具有比选择器尺寸更小的PCM单元尺寸允许在电阻式切换存储元件中的电流选择器又称为电流限制器或者电流导引元件中的电流密度要求更小。
主权项：1.一种三维存储单元结构，包括：至少一个存储单元堆叠层，所述存储单元堆叠层具有选择器、相变存储单元以及第一电极和第二电极；所述相变存储单元设置在所述第一电极和所述第二电极之间，并且其中，所述相变存储单元、所述选择器以及所述第一电极和所述第二电极均具有相对于沿着x轴的第一方向和沿着y轴的第二方向的尺寸大小；字线和位线，所述字线和所述位线相互垂直并且耦合到所述存储单元堆叠层，其中，所述相变存储单元相对于所述字线和所述位线自对准；并且其中，与同一所述存储单元堆叠层内的所述选择器和或所述电极在相应方向上的尺寸大小相比，所述相变存储单元在所述方向中的至少一个上具有减小的尺寸大小，以相对于所述选择器和或所述电极来形成更小的相变存储单元尺寸和截面面积。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 用于3D X-Point存储器的具有减小的编程电流和热串扰的新单元结构
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