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【发明授权】基于ONFI PHY接口规范的内存访问方法和装置_合肥奎芯集成电路设计有限公司;上海奎芯集成电路设计有限公司_202311317301.2 

申请/专利权人:合肥奎芯集成电路设计有限公司;上海奎芯集成电路设计有限公司

申请日:2023-10-11

公开(公告)日:2024-01-19

公开(公告)号:CN117076351B

主分类号:G06F13/16

分类号:G06F13/16;G11C16/04;G06F3/06

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.01.19#授权;2023.12.05#实质审查的生效;2023.11.17#公开

摘要:本申请提供一种基于ONFIPHY接口规范的内存访问方法和装置,属于存储器技术领域,所述ONFIPHY接口规范定义了内存控制器与物理层之间的通用接口及对应的交互信号集合,所述方法包括:响应于用户的内存访问触发操作确定待访问的目标NAND颗粒及对应的访问类型;基于目标NAND颗粒及对应的访问类型,确定交互信号集合中的目标交互信号及对应的控制时序;基于控制时序对所述目标交互信号的状态进行控制以实现对目标NAND颗粒的访问,能基于ONFIPHY接口规范实现内存的高效访问,同时提高芯片的研发效率,降低设计成本。

主权项:1.一种基于ONFIPHY接口规范的内存访问方法,其特征在于,所述ONFIPHY接口规范定义了内存控制器与物理层之间的通用接口及对应的交互信号集合,所述方法包括:响应于用户的内存访问触发操作,确定待访问的目标NAND颗粒及对应的访问类型;基于所述待访问的目标NAND颗粒及对应的访问类型,确定所述交互信号集合中的目标交互信号及对应的控制时序;基于所述控制时序对所述目标交互信号的状态进行控制以实现对目标NAND颗粒的访问;所述交互信号集合中包括命令和地址信号子集、数据总线信号子集和自定义信号子集;所述命令和地址信号子集中的交互信号用于对接NAND颗粒的芯片使能接口、读使能接口、地址锁存使能接口、命令锁存使能接口、写使能接口、写保护接口和状态接口;所述数据总线信号子集中的交互信号用于对接NAND颗粒的数据接口;所述自定义信号子集中的交互信号用于物理层的内部控制及与内存控制器的非内存访问目的的交互;所述命令和地址信号子集中的交互信号包括:片选控制信号onfi_ce_n,用于关联NAND颗粒的芯片使能接口;读使能控制信号onfi_re_p0、onfi_re_p1、onfi_re_toggle_p0和onfi_re_toggle_p1,用于关联NAND颗粒的读使能接口;地址锁存控制信号onfi_ale_p0和onfi_ale_p1,用于关联NAND颗粒的地址锁存使能接口;命令锁存控制信号onfi_cle_p0和onfi_cle_p1,用于关联NAND颗粒的命令锁存使能接口;写使能控制信号onfi_we_n_p0和onfi_we_n_p1,用于关联NAND颗粒的写使能接口;写保护控制信号onfi_wp_n_p0和onfi_wp_n_p1,用于关联NAND颗粒的写保护接口;状态指示信号onfi_rb_n,用于关联NAND颗粒的状态接口;所述数据总线信号子集中的交互信号包括:写入数据指示信号onfi_wrdata_p0和onfi_wrdata_p1,用于指示向NAND颗粒中写入的数据;写入数据使能信号onfi_wrdata_en_p0和onfi_wrdata_en_p0,用于与写入数据指示信号组合实现向NAND颗粒写入数据;读取数据指示信号onfi_rddata_p0和onfi_rddata_p1,用于指示从NAND颗粒中读取的数据;读取数据有效标识信号onfi_rddata_valid_p0和onfi_rddata_valid_p1,用于指示从NAND颗粒中读取的有效数据;读取数据使能信号onfi_rddata_en_p0和onfi_rddata_en_p1,用于与读取数据指示信号、读取数据有效标识信号组合实现从NAND颗粒读取数据;DQS状态指示信号onfi_wrdqs_toggle_p0和onfi_wrdqs_toggle_p1,用于指示DQS信号状态;DQS发送使能信号onfi_wrdqs_en_p0和onfi_wrdqs_en_p1,用于与DQS状态指示信号组合产生DQS信号的发送时序;所述自定义信号子集中的交互信号包括:请求信号onfi_ctrlupd_req,用于内存控制器向物理层发送请求以完成校准工作;应答信号onfi_ctrlupd_ack,用于指示物理层的当前状态;初始化状态信号onfi_init_complete,用于指示物理层是否初始化完成。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 合肥奎芯集成电路设计有限公司;上海奎芯集成电路设计有限公司 基于ONFI PHY接口规范的内存访问方法和装置

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