龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中晶新源(上海)半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种改善屏蔽栅功率半导体器件HDP填充的工艺方法，包括如下步骤：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层和ONO硬掩膜层，然后蚀刻形成深沟槽；生成场氧化层；填充第一多晶硅，并回刻去除多余的第一多晶硅；蚀刻场氧化层，形成侧壁保护层；回刻所述第一多晶硅；形成HDP氧化层并蚀刻形成隔离氧化层；去除ONO硬掩膜层；形成栅极氧化层和栅极多晶硅。本发明通过对屏蔽栅多晶硅进行额外一次的回刻，从而在相同的成品的设计参数的情况下，可以减小HDP填充的深度，改善HDP填充形貌，尤其是在填充深宽比接近填充设备极限的情况下，能够避免由于隔离氧化层形貌不佳引起的栅极和源极之间的耐压降低的问题。
主权项：1.一种改善屏蔽栅功率半导体器件HDP填充的工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：准备一衬底，在所述衬底上形成外延层，在外延层上形成ONO硬掩膜层，然后蚀刻形成深沟槽；在所述深沟槽的底部及侧壁生成场氧化层；在所述深沟槽填充第一多晶硅，并回刻去除多余的第一多晶硅，使剩余的第一多晶硅的上端距离外延层上表面的深度为f，f满足fa+b，其中a为屏蔽栅功率半导体器件成品中的栅极多晶硅深度，b为屏蔽栅功率半导体器件成品中的隔离氧化层厚度；通过蚀刻减薄外露的场氧化层，使所述第一多晶硅上方的沟槽侧壁上保留一侧壁保护层，并且未被减薄的场氧化层的上端距离外延层上表面的深度为g，g满足fga+b；进一步回刻所述第一多晶硅，使剩余的第一多晶硅的上端距离外延层上表面的深度为a+b；通过HDP填充在所述深沟槽和外延层上形成HDP氧化层，然后通过蚀刻所述HDP氧化层形成隔离氧化层；去除ONO硬掩膜层；在所述隔离氧化层上方的深沟槽中形成栅极氧化层和栅极多晶硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中晶新源(上海)半导体有限公司 一种改善屏蔽栅功率半导体器件HDP填充的工艺方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号