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申请/专利权人：天狼芯半导体(成都)有限公司
摘要：本发明提供一种集成条形沟槽源极控制续流通道SiCUMOS及制备方法，该SiCUMOS包括：至少一个源极沟槽；所述源极沟槽沿第一方向贯穿N+层、P‑well层和N‑drift层；所述源极沟槽由位于N+层和P‑well层的通孔和位于N‑drift层上层的沟槽组成，所述通孔与所述沟槽相连；所述源极沟槽的内壁贴附有源极氧化层；源极多晶硅沉积于所述源极沟槽中并被所述氧化层包覆；所述源极多晶硅与源极相连。在源极下方开设条形的源极沟槽，并在源极沟槽中沉积源极多晶硅，当SiCUMOS工作在反向状态时，利用源极多晶硅在源极沟槽周围的P‑well层中感应出环形的反型层，实现电流从源极流向漏极，本发明设置的反向续流通道能够减少器件面积，降低生产成本，提高SiCUMOS的可靠性。
主权项：1.一种集成条形沟槽源极控制续流通道SiCUMOS，其特征在于，包括：至少一个源极沟槽；所述源极沟槽沿第一方向贯穿N+层、P-well层和N-drift层；所述源极沟槽由位于N+层和P-well层的通孔和位于N-drift层上层的沟槽组成，所述通孔与所述沟槽相连；所述源极沟槽的内壁贴附有源极氧化层；源极多晶硅沉积于所述源极沟槽中并被所述源极氧化层包覆；所述源极多晶硅与源极相连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天狼芯半导体(成都)有限公司 一种集成条形沟槽源极控制续流通道SiC UMOS及制备方法
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