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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种有源倍频器，包括依次连接的输入匹配网络、耦合网络、有源倍频核以及输出匹配网络，其中，所述耦合网络包括功分器网络和耦合器网络；所述输入匹配网络的一端连接信号输入端，另一端连接所述功分器网络的输入端；所述功分器网络的输出端连接所述耦合器网络的输入端，所述耦合器网络的输出端连接所述倍频核。本发明提供的有源倍频器不仅可以简化电路结构，减小电路面积，降低设计难度；还能够实现较宽的带宽，确保了倍频器的输出信号稳定性，同时提升了信号隔离度，进而提升了电路性能。
主权项：1.一种有源倍频器，其特征在于，包括依次连接的输入匹配网络1、耦合网络2、有源倍频核3以及输出匹配网络4，其中，所述耦合网络2包括功分器网络21和耦合器网络22；所述输入匹配网络1的一端连接信号输入端，另一端连接所述功分器网络21的输入端；所述功分器网络21的输出端连接所述耦合器网络22的输入端，所述耦合器网络22的输出端连接所述倍频核3；所述功分器网络21包括一个二功率分配器，以将一路输入信号均分为两路输出；所述耦合器网络22包括耦合器1和第二耦合器2，其中，所述耦合器1的和所述耦合器2的输入端分别连接所述二功率分配器的两个输出端；所述耦合器1的耦合端和直通端开路，所述耦合器2的耦合端和直通端接地；所述耦合器1和所述耦合器2的隔离端作为耦合器网络22的输出连接所述有源倍频核3；所述有源倍频核3包括第一晶体管M1和第二晶体管M2，其中，所述第一晶体管M1的栅极连接所述耦合器1的隔离端，所述第二晶体管M2的栅极连接所述耦合器2的隔离端；所述第一晶体管M1和所述第二晶体管M2的源极均接地；所述第一晶体管M1和所述第二晶体管M2的漏极连接并作为有源倍频核3的输出连接所述输出匹配网络4；且所述第一晶体管M1和第二晶体管M2均由GaNHEMT工艺制备而成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种有源倍频器、倍频放大电路及MMIC芯片
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