申请/专利权人：联华电子股份有限公司

申请日：2022-12-06

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917925A

主分类号：H10B41/35

分类号：H10B41/35;H10B41/50

优先权：["20221020 TW 111139775"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.10#实质审查的生效;2024.04.23#公开

摘要：本发明提供一种闪存存储器及其制造方法。所述闪存存储器包括浮动栅极、第一介电层、第二介电层、源极区、漏极区、擦除栅极、选择栅极以及第三介电层。所述浮动栅极设置于衬底中。所述第一介电层设置于所述浮动栅极与所述衬底之间。所述第二介电层覆盖所述浮动栅极的被所述衬底暴露出的表面。所述源极区设置于所述浮动栅极的一侧的所述衬底中，且与所述第一介电层接触。所述漏极区设置于所述浮动栅极的另一侧的所述衬底中，且与所述第一介电层分隔开。所述擦除栅极设置于所述第二介电层上。所述选择栅极设置于所述浮动栅极与所述漏极区之间的所述衬底上。所述第三介电层设置于所述选择栅极与所述衬底之间。

主权项：1.一种闪存存储器，包括：浮动栅极，设置于衬底中；第一介电层，设置于所述浮动栅极与所述衬底之间；第二介电层，覆盖所述浮动栅极的被所述衬底暴露出的表面；源极区，设置于所述浮动栅极的一侧的所述衬底中，且与所述第一介电层接触；漏极区，设置于所述浮动栅极的另一侧的所述衬底中，且与所述第一介电层分隔开；擦除栅极，设置于所述第二介电层上；选择栅极，设置于所述浮动栅极与所述漏极区之间的所述衬底上；以及第三介电层，设置于所述选择栅极与所述衬底之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 联华电子股份有限公司 闪存存储器及其制造方法

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