申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-09-26

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917772A

主分类号：H01L27/092

分类号：H01L27/092;H01L29/78;H01L29/10

优先权：["20221020 KR 10-2022-0135790"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：一种半导体器件包括：第一元件分隔结构、第二元件分隔结构和第三元件分隔结构，其沿着第一方向依次设置并且在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第一有源图案，其在所述第一元件分隔结构与所述第二元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸；第二有源图案，其在所述第二元件分隔结构与所述第三元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸并且通过所述第二元件分隔结构与所述第一有源图案分隔开；第一栅电极，其在所述第一有源图案上沿所述第二方向延伸；以及多个第二栅电极，其在所述第二有源图案上沿所述第二方向延伸，其中，所述第一有源图案在所述第二方向上的宽度大于所述第二有源图案在所述第二方向上的宽度。

主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一元件分隔结构、第二元件分隔结构和第三元件分隔结构，所述第一元件分隔结构、所述第二元件分隔结构和所述第三元件分隔结构在第一方向上依次彼此间隔开，所述第一元件分隔结构、所述第二元件分隔结构和所述第三元件分隔结构在与所述第一方向相交的第二方向上延伸；第一有源图案，所述第一有源图案在所述第一元件分隔结构与所述第二元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸；第二有源图案，所述第二有源图案在所述第二元件分隔结构与所述第三元件分隔结构之间沿所述第一方向延伸，所述第二有源图案通过所述第二元件分隔结构与所述第一有源图案分隔开，并且所述第一有源图案在所述第二方向上的宽度大于所述第二有源图案在所述第二方向上的宽度；第一栅电极，所述第一栅电极在所述第一有源图案上沿所述第二方向延伸；以及多个第二栅电极，所述多个第二栅电极在所述第二有源图案上沿所述第二方向延伸。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件

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