申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2023-09-28

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917736A

主分类号：G11C16/26

分类号：G11C16/26;G11C16/34

优先权：["20221020 US 17/970,315"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：描述与从经配置以存储多于一个位的存储器单元读取数据相关的方法、设备及系统。所述设备能够经配置以确定与读取存储于目标位置处的数据相关联的极性数据。在读取存储于所述目标位置处的所述数据时，所述设备可根据所述经确定极性数据跨不同极性施加一或多个电压电平。

主权项：1.一种存储器装置，其包括：可重写存储器单元，其包含各自经配置以使用一组存储状态存储两个位的多电平单元MLC，所述一组存储状态对应于正及负极性的最小阈值电压Vt、最大Vt、三元T状态及至少一种中间I状态；及逻辑电路，其能够操作地耦合到所述存储器单元且经配置以：确定与读取所述MLC当中的目标位置相关联的极性数据；基于施加第一极性的电压电平序列且接着施加第二极性的电压电平序列检测所述目标位置处的存储状态，其中所述第一及第二极性的所述序列根据所述极性数据进行选择且经配置以在区分所述T状态与所述至少一种I状态时盖写中间Vt；及控制沿着所述第二极性施加重新编程电压以用于重建所述存储状态，其中所述经重建存储状态对应于所述中间Vt。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 具有多位单元读取机制的设备及用于操作所述设备的方法

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