申请/专利权人：上海磁宇信息科技有限公司

申请日：2019-06-14

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN112086554B

主分类号：H10B61/00

分类号：H10B61/00;H10N50/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2021.01.01#实质审查的生效;2020.12.15#公开

摘要：本发明涉及一种磁性随机存储器磁性存储单元，包括表面抛光带CMOS通孔的衬底、底电极、磁性隧道结和顶电极，衬底的顶部分布有底电极，底电极的顶部分布有磁性隧道结，磁性隧道结的顶部分布有顶电极；磁性隧道结的内部包括多层结构且依次向上叠加的缓冲层、晶态种子层、合成反铁磁层、合成反铁磁层‑参考层铁磁耦合层、参考层、势垒层、自由层和覆盖层；底电极的内部包括有第一底电极、第二底电极和第二底电极氧化层，第一底电极的顶部分布有第二底电极，第二底电极的顶部分布有第二底电极氧化层，第一底电极和第二底电极的内部均可选择性地分布有底电极非晶隔断层。

主权项：1.一种磁性随机存储器磁性存储单元，其特征在于：包括表面抛光带CMOS通孔的衬底、底电极、磁性隧道结和顶电极，所述衬底的顶部分布有底电极，所述底电极的顶部分布有磁性隧道结，所述磁性隧道结的顶部分布有顶电极；所述磁性隧道结的内部包括多层结构且依次向上叠加的缓冲层、晶态种子层、合成反铁磁层、合成反铁磁层-参考层铁磁耦合层、参考层、势垒层、自由层和覆盖层；所述底电极的内部包括有第一底电极、第二底电极和第二底电极氧化层，所述第一底电极的顶部分布有第二底电极，所述第二底电极的顶部分布有第二底电极氧化层，在所述第一底电极的沉积过程中穿插一层或多层第一底电极非晶隔断层，在所述第二底电极的沉积过程中穿插一层或多层第二底电极非晶隔断层；所述缓冲层由[Ta，TaNRu]n或[RuTa，TaN]n组成，其中，n≥1，Ru的厚度为0.1nm～10nm，Ta或TaN的厚度为0nm～10nm；选择PtRuPt为所述晶态种子层，其中，第一层Pt的厚度为1nm～10nm，第二层Ru的厚度为2nm～20nm，第三层Pt的厚度为0.1nm～1.0nm。

全文数据：

权利要求：

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