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【发明授权】抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法_信越化学工业株式会社_202110646782.6 

申请/专利权人:信越化学工业株式会社

申请日:2021-06-10

公开(公告)日:2024-04-23

公开(公告)号:CN113805434B

主分类号:G03F7/004

分类号:G03F7/004;G03F7/11

优先权:["20200612 JP 2020-102117"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.23#授权;2022.01.04#实质审查的生效;2021.12.17#公开

摘要:本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料,是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料,含有:A下列通式1表示的化合物;及B有机溶剂。式中,X各自独立地为下列通式2表示的1价有机基团。W含有m个下式3表示的独立的部分结构。m、n为1~10的整数。式中,虚线表示原子键。Z表示芳香族基团。A为单键、或‑O‑CH2p‑。k为1~5的整数。p为1至10的整数。式中,虚线表示原子键。R01为氢原子或碳数1~10的一价有机基团。

主权项:1.一种抗蚀剂下层膜材料,是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料,含有:A下列通式1表示的化合物中的一种或二种以上;及B有机溶剂; 式中,X各自独立地为下列通式2表示的1价有机基团;W为碳数2~60的n价有机基团,且含有m个下列通式3表示的各自独立的部分结构;m、n为1~10的整数; 式中,虚线表示原子键;Z表示碳数6~20的k+1价芳香族基团;A为单键、或-O-CH2p-;k为1~5的整数;p为1至10的整数; 式中,虚线表示原子键;R01为氢原子或碳数1~10的一价有机基团。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 信越化学工业株式会社 抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法

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