申请/专利权人：南京理工大学

申请日：2021-11-25

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN114204849B

主分类号：H02N3/00

分类号：H02N3/00;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.04.05#实质审查的生效;2022.03.18#公开

摘要：本发明属于水蒸发产电技术领域，涉及一种用于水蒸发产电的二维金属氧化物单层纳米片，其步骤如下：将富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片涂覆在设置电极的支撑基底上作为产电器件，用于在水中蒸发产电。本发明首次实现将富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片作为水蒸发产电的主体材料，具有非常优异的开路电压性能。

主权项：1.一种富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片在水蒸发产电中的应用；所述的应用是指将富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片涂覆在设置电极的支撑基底上作为产电器件，用于在水中蒸发产电；包括如下步骤：步骤1，将富含阳离子缺陷的二维过渡金属氧化物单层纳米片与Nafion置于乙醇水混合溶液中进行搅拌及超声反应，得到浆料；步骤2，将导电电极材料印刷在支撑基底上，室温干燥，制得电极；步骤3，将步骤1的浆料涂布于步骤2印刷了导电电极材料的支撑基底上，并在室温条件下干燥，得到一层膜；步骤4，将导线粘接在电极的两端，然后用环氧树脂包裹所有暴露的电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京理工大学 用于水蒸发产电的二维金属氧化物单层纳米片

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