申请/专利权人：爱思开海力士有限公司

申请日：2020-01-13

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN111799371B

主分类号：H10N70/20

分类号：H10N70/20;G11C5/06;G11C5/02

优先权：["20190404 KR 10-2019-0039603"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：电子设备包括半导体存储器。半导体存储器包括：第一可变电阻元件，其耦接在第一配线与第二配线之间，该第一可变电阻元件包括在离第一配线第一距离处具有第一宽度的第一可变电阻层；以及第二可变电阻元件，其耦接在第二配线与第三配线之间，该第二可变电阻元件包括在离第二配线第一距离处具有第二宽度的第二可变电阻层。第一宽度大于第二宽度。

主权项：1.一种包括半导体存储器的电子设备，所述半导体存储器包括：第一可变电阻元件，其耦接在第一配线与第二配线之间，所述第一可变电阻元件包括在离所述第一配线第一距离处具有第一宽度的第一可变电阻层；以及第二可变电阻元件，其耦接在所述第二配线与第三配线之间，所述第二可变电阻元件包括在离所述第二配线所述第一距离处具有第二宽度的第二可变电阻层，其中，所述第一宽度大于所述第二宽度，其中，所述第二可变电阻层在离所述第二配线第二距离处具有第三宽度，所述第二距离不同于所述第一距离，所述第三宽度大于所述第二宽度，以及其中，所述第二可变电阻层在所述第二宽度处的第一部分的第一组成与所述第二可变电阻层在所述第三宽度处的第二部分的第二组成不同。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体存储器件

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