申请/专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))

申请日：2023-07-11

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN116879702B

主分类号：G01R31/26

分类号：G01R31/26

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2023.10.31#实质审查的生效;2023.10.13#公开

摘要：本申请涉及一种SiCMOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法、系统、装置、计算机设备、计算机可读存储介质、计算机程序产品。该方法包括：控制待测的SiCMOSFET工作在预设状态下，其中，SiC芯片包括栅极、漏极、第一源极，SiCMOSFET还包括第二源极。获取第一电压信号、第二电压信号、第一电流信号。在确定SiCMOSFET失效的情况下，根据第一电压信号、第二电压信号、第一电流信号，确定SiCMOSFET的失效机理，其中，失效机理包括SiC芯片失效和封装组件失效中的至少一种。采用本申请的方法，能够在功率循环试验中SiCMOSFET失效时，确定出SiCMOSFET失效的原因具体是SiCMOSFET的芯片本身失效，还是封装组件失效，避免依据单一退化参数的判据而发生误判。

主权项：1.一种SiCMOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法，其特征在于，所述SiCMOSFET包括SiC芯片和封装组件，所述方法包括：控制待测的SiCMOSFET工作在预设状态下，其中，所述SiC芯片包括栅极、漏极、第一源极，所述SiCMOSFET还包括第二源极，所述第一源极和所述第二源极通过所述封装组件连接；获取第一电压信号、第二电压信号、第一电流信号，其中，所述第一电压信号为所述SiC芯片的漏极和所述第一源极之间的导通电压降，所述第二电压信号为所述SiC芯片的漏极和所述第二源极之间的导通电压降，所述第一电流信号用于表征流经所述SiCMOSFET的电流；在确定所述SiCMOSFET失效的情况下，根据所述第一电压信号、所述第一电流信号，确定所述SiC芯片的第一电阻值；根据所述第二电压信号、所述第一电流信号确定所述SiCMOSFET的总电阻值；根据所述总电阻值和所述第一电阻值确定所述封装组件的第二电阻值；根据所述第一电阻值、第一基准电阻值，确定所述SiC芯片的第一电阻变化率；根据所述第二电阻值、第二基准电阻值，确定所述封装组件的第二电阻变化率；在所述第一电阻变化率减去所述第二电阻变化率大于第一阈值的情况下，确定所述SiC芯片失效；在所述第二电阻变化率减去所述第一电阻变化率大于第二阈值的情况下，确定所述封装组件失效；在所述第一电阻变化率和所述第二电阻变化率均大于第三阈值的情况下，确定所述SiC芯片和所述封装组件同时失效。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) SiC MOSFET功率循环退化机理的在线诊断方法、系统、装置

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