申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所

申请日：2022-08-18

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN115361512B

主分类号：H04N25/71

分类号：H04N25/71

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2022.12.06#实质审查的生效;2022.11.18#公开

摘要：本发明涉及一种低残留电荷CCD结构，在垂直区和水平区之间的交界区域中设置有垂直区至水平区承接相，所述垂直区至水平区承接相采用收口结构，包括与垂直区连接的开口端、以及与水平区连接的收口端，所述开口端的宽度大于收口端的宽度；所述垂直区的最下端垂直驱动相作为垂直承接相与垂直区至水平区承接相的开口端相接，所述垂直区至水平区承接相的收口端与水平区的一水平驱动相相接，与垂直区至水平区承接相相接的水平驱动相为水平承接相。本发明中，通在水平区和垂直区之间的交界区域中设置了垂直区至水平区承接相，可以使垂直区至水平区承接相不存储电荷信号，从而可以使垂直区的电荷加速转移至水平区，有利于水平电荷信号快速读出。

主权项：1.一种低残留电荷CCD结构，包括垂直区、设置于垂直区的垂直驱动相、水平区、设置于水平区的水平驱动相、设置于垂直区和水平区之间的第一沟阻、以及设置于水平区下方的第二沟阻，其特征在于：所述垂直区和水平区之间的交界区域中设置有连接垂直区和水平区的垂直区至水平区承接相，所述垂直区至水平区承接相采用收口结构，包括与垂直区连接的开口端、以及与水平区连接的收口端，所述开口端的宽度大于收口端的宽度；所述垂直区的最下端垂直驱动相作为垂直承接相与垂直区至水平区承接相的开口端相接，所述垂直区至水平区承接相的收口端与水平区的一水平驱动相相接，与垂直区至水平区承接相相接的水平驱动相为水平承接相；所述垂直区至水平区承接相的开口端的宽度与垂直承接相的宽度相匹配，所述垂直区至水平区承接相的收口端的宽度与水平承接相的宽度相匹配。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 低残留电荷CCD结构

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