申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2024-02-23

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117913144A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明提供了一种屏蔽栅MOSFET及形成方法，包括：在衬底的内部并且靠近衬底表面形成阱区和源区；在衬底的内部形成第一沟槽；在第一沟槽内形成屏蔽栅结构；在源区的表面和屏蔽栅结构的表面形成图案化的接触孔介质层；在源区、阱区和衬底内形成第二沟槽，第二沟槽与第一沟槽间隔一定的距离；在第二沟槽内形成底部氧化层和金属插塞，底部氧化层位于第二沟槽的底部，金属插塞位于底部氧化层的表面，金属插塞与第二沟槽的下部分侧壁通过氧化层隔开，第二沟槽的上部分侧壁露出阱区，第二沟槽与图案化的接触孔介质层形成通孔；在通孔两侧的阱区内形成接触孔侧壁欧姆接触注入层。

主权项：1.一种屏蔽栅MOSFET，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底内并且靠近所述衬底表面的阱区，位于所述阱区内并且靠近所述阱区表面的源区；从所述源区的表面延伸至所述衬底内部的间隔的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽内形成有屏蔽栅结构；位于所述第二沟槽的底部的底部氧化层，位于所述第二沟槽内并且位于所述底部氧化层上方的金属插塞，所述金属插塞与所述第二沟槽的侧壁通过侧壁氧化层隔开；位于所述源区的表面和所述屏蔽栅结构的表面的接触孔介质层，所述接触孔介质层内形成有通孔，所述通孔穿过所述源区并延伸至所述阱区的内部，所述通孔内露出所述金属插塞和侧壁氧化层；位于所述通孔两侧的阱区内的接触孔侧壁侧壁欧姆接触注入层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 屏蔽栅MOSFET及形成方法

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