申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2024-02-23

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117912952A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明提供了一种屏蔽栅MOSFET的形成方法，包括：提供衬底，衬底的表面形成有硬质掩膜层，衬底内形成有沟槽，硬质掩膜层露出沟槽，将沟槽从下至上分为相邻的第一部分沟槽和第二部分沟槽；在第一部分沟槽内依次形成第一栅介质层、屏蔽栅和隔离层，屏蔽栅位于第一部分沟槽的底部，隔离层位于屏蔽栅的表面，屏蔽栅通过第一栅介质层与第一部分沟槽的内壁隔开；使用各向同性的刻蚀方法刻蚀第二部分沟槽的侧壁，使得刻蚀后的第二部分沟槽的侧壁呈现斜坡形状的碗状结构；去除硬质掩膜层；在第二部分沟槽内依次形成栅氧化介质层和第二栅多晶硅，第二栅多晶硅的侧壁与隔离层的表面形成的角度大于90°。

主权项：1.一种屏蔽栅MOSFET的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的表面形成有硬质掩膜层，所述衬底内形成有沟槽，所述硬质掩膜层露出所述沟槽，将所述沟槽从下至上分为相邻的第一部分沟槽和第二部分沟槽；在所述第一部分沟槽内依次形成第一栅介质层、屏蔽栅和隔离层，所述屏蔽栅位于所述第一部分沟槽的底部，所述隔离层位于所述屏蔽栅的表面，所述屏蔽栅通过所述第一栅介质层与所述第一部分沟槽的内壁隔开；使用各向同性的刻蚀方法刻蚀所述第二部分沟槽的侧壁，使得刻蚀后的第二部分沟槽的侧壁呈现斜坡形状的碗状结构；去除所述硬质掩膜层；在所述第二部分沟槽内依次形成栅氧化介质层和第二栅多晶硅，所述第二栅多晶硅通过所述栅氧化介质层与所述第二部分沟槽的侧壁隔开，所述第二栅多晶硅的侧壁与所述隔离层的表面形成的角度大于90°。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 屏蔽栅MOSFET的形成方法

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