申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2024-02-23

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117912953A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明提供了一种屏蔽栅MOSFET的形成方法，包括：衬底的表面形成有硬质掩膜层，衬底内形成有沟槽；在沟槽内形成第一氧化层、屏蔽栅多晶硅和隔离介质材料层，隔离介质材料层位于屏蔽栅多晶硅的表面；形成侧墙，侧墙覆盖硬质掩膜层的侧壁；以侧墙为掩膜，刻蚀部分厚度的隔离介质材料层和第一氧化层，剩余的隔离介质材料层形成隔离层，隔离层的表面呈现为中间低两边高的圆弧形状，剩余的第一氧化层作为第一栅介质层；去除侧墙和硬质掩膜层；在隔离层表面的沟槽内形成第二栅介质层和第二栅多晶硅，第二栅多晶硅通过第二栅介质层与沟槽的侧壁隔开，第二栅多晶硅的侧壁与隔离层的表面形成的角度大于90°。

主权项：1.一种屏蔽栅MOSFET的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底的表面形成有硬质掩膜层，所述衬底内形成有沟槽，所述硬质掩膜层露出所述沟槽；在所述沟槽内依次形成第一氧化层、屏蔽栅多晶硅和隔离介质材料层，所述屏蔽栅多晶硅和隔离介质材料层均通过所述第一氧化层与所述沟槽的内壁隔开，所述隔离介质材料层位于所述屏蔽栅多晶硅的表面，所述隔离介质材料层的表面与所述衬底的表面齐平；在所述第一氧化层和隔离介质材料层的表面形成侧墙，所述侧墙覆盖所述硬质掩膜层的侧壁；以所述侧墙为掩膜，刻蚀部分厚度的所述隔离介质材料层和第一氧化层，剩余的所述隔离介质材料层形成隔离层，所述隔离层的表面呈现为中间低两边高的圆弧形状，剩余的所述第一氧化层作为第一栅介质层；去除所述侧墙和硬质掩膜层；在所述隔离层表面的沟槽内形成第二栅介质层和第二栅多晶硅，所述第二栅多晶硅通过所述第二栅介质层与所述沟槽的侧壁隔开，所述第二栅多晶硅的侧壁与隔离层的表面形成的角度大于90°。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 屏蔽栅MOSFET的形成方法

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