申请/专利权人：中国科学院半导体研究所

申请日：2024-01-18

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN117902550A

主分类号：B81C1/00

分类号：B81C1/00;B81B7/02;A61N1/04

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要：本发明提供一种基于PEDOT:PSS界面的柔性透明神经电极及其制备方法，可以应用于神经科学领域。其特征在于以PEDOT：PSS聚3，4‑乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸作为记录和传输神经电信号的功能材料，使用薄层绝缘聚合物作为PEDOT：PSS干法刻蚀的掩膜层，实现大面积PEDOT：PSS的图形化，使用面向硅片的反向工艺，实现无损化PEDOT:PSS柔性透明神经电极的大批量制备。本发明提供的制备方法具有工艺简单、易操作、可大批量实现等优点。同时，该基于PEDOT:PSS界面的柔性透明神经电极分为主要界面区、中间导线区和电极焊接区，主要界面区均使用柔性透明材料，可应用于需要与光成像集成的电生理系统中，具有较好的记录性能和机械性能，便于长期在生物体内进行神经电信号记录。

主权项：1.一种基于PEDOT：PSS界面的柔性透明神经电极的制备方法，其特征在于，以PEDOT：PSS聚3，4-乙烯二氧噻吩：聚苯乙烯磺酸作为记录和传输神经电信号的功能材料，使用薄层绝缘聚合物作为PEDOT：PSS干法刻蚀的掩膜层，实现大面积PEDOT：PSS的图形化，使用面向硅片的反向工艺，实现无损化PEDOT：PSS柔性透明神经电极100的制备，包括以下步骤：S1，在洁净的硅片上沉积铝层，形成牺牲层；S2，在所述牺牲层上沉积第一聚合物绝缘层，形成底层绝缘层1；S3，干法刻蚀所述底层绝缘层1，使所述底层绝缘层1上形成纳米森林，以增加所述底层绝缘层1的粘附性；S4，在所述底层绝缘层1上的部分表面沉积多金属层，采用金属剥离工艺得到图形化的金属导线层3；S5，在经S4处理后的所述硅片上旋涂光刻胶，经前烘、曝光、显影漏出所述底层绝缘层1的记录点区域，干法刻蚀所述底层绝缘层1，得到带有多个记录点通孔12的底层绝缘层1；S6，采用氧等离子处理经S5处理后的所述硅片，使所述底层绝缘层1具有亲水性后，在所述硅片上旋涂PEDOT：PSS预配置溶液，形成PEDOT：PSS层4；S7，在所述PEDOT：PSS层4上沉积第二聚合物绝缘层，形成所述PEDOT：PSS层4的聚合物掩膜；S8，在所述PEDOT：PSS层4的聚合物掩膜上旋涂光刻胶光刻后形成掩膜，干法刻蚀所述PEDOT：PSS层4，得到图形化的PEDOT：PSS层4；S9，在经S8处理后的所述硅片上沉积第三聚合物绝缘层，形成顶层绝缘层2；S10，在所述顶层绝缘层2上旋涂光刻胶光刻后形成掩膜，干法刻蚀出所述顶层绝缘层2的电极轮廓、顶层焊接通孔21和所述底层绝缘层1的电极轮廓、底层焊接通孔11，得到图形化的顶层绝缘层2和图形化的底层绝缘层1，得到所述柔性透明神经电极100；S11，采用阳极电化学腐蚀工艺腐蚀所述牺牲层，释放所述柔性透明神经电极100。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院半导体研究所 基于PEDOT:PSS界面的柔性透明神经电极及其制备方法

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