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【发明公布】一种离子掺杂钇铝石榴石的生长方法_安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司_202410101772.8 

申请/专利权人:安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司

申请日:2024-01-25

公开(公告)日:2024-04-19

公开(公告)号:CN117904717A

主分类号:C30B29/28

分类号:C30B29/28;C30B1/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.05.07#实质审查的生效;2024.04.19#公开

摘要:本发明涉及晶体生长领域,公开了一种离子掺杂钇铝石榴石的生长方法,包括以下步骤:根据分子式RE:Y3Al5O12化学计量比,称取原料进行混料后进行压制;将压制好的原料放入马弗炉中预烧冷却得到预烧料;将预烧料均匀填充坩埚,将坩埚放入生长炉炉膛内的水平轨道上,抽真空至1.0×10‑4Pa,缓慢升温,控制坩埚依次通过高温区、温梯区和低温区,完成晶体生长,本发明通过水平法生长离子掺杂钇铝石榴石,能实现连续生长,得到的晶体利用率高,应力均匀和位错密度低。

主权项:1.一种离子掺杂钇铝石榴石的生长方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)根据分子式RE:Y3Al5O12化学计量比,称取原料Re2O3、Y2O3、Al2O3,将称配好的原料进行球磨后放入混料机中进行混料,将混合后的原料粉末放入冷等静压机进行压制;(2)将压制好的原料放入马弗炉中开始预烧,在温度为350~450℃条件下保温2~3h,而后将温度升高至1400~1600℃并保温5~7h,随炉冷却得到预烧料;(3)将预烧料均匀填充坩埚,将坩埚放入生长炉炉膛内的水平轨道上,关闭炉膛,打开真空泵,将炉膛内部真空抽至1.0×10-4Pa,缓慢升温,整个升温时间为10~11h,控制坩埚依次通过高温区、温梯区和低温区,完成晶体生长。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 一种离子掺杂钇铝石榴石的生长方法

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