申请/专利权人：无锡龙夏微电子有限公司

申请日：2023-09-25

公开（公告）日：2024-04-19

公开（公告）号：CN220821544U

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/40

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.19#授权

摘要：本实用新型涉及电子元件技术领域，尤其涉及一种组合式功率MOSFET器件。其包括器件本体和组合部件，器件本体的底部从左到右依次设置有源极引脚、栅极引脚和漏极引脚，器件本体上正面顶部的两侧均开设有垂直插孔，器件本体背面顶部的两侧均开设有与垂直插孔相通的水平插槽，器件本体设置有多组，多组器件本体之间设置有组合部件。本实用新型通过在多个器件本体之间设置有组装部件，利用U形板、插板、卡簧、连接板、连接柱和限位板的配合，方便对多个器件本体进行组装，一方面可以根据实际运用场景对其组装使用，提高了其适用性，另一方面在不使用的情况下，通过组合部件方便将其堆叠存放，提高了存放的空间利用率。

主权项：1.一种组合式功率MOSFET器件，其特征在于，包括器件本体1和组合部件2，器件本体1的底部从左到右依次设置有源极引脚3、栅极引脚4和漏极引脚5，器件本体1上正面顶部的两侧均开设有垂直插孔6，器件本体1背面顶部的两侧均开设有与垂直插孔6相通的水平插槽7，器件本体1设置有多组，多组器件本体1之间设置有组合部件2。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡龙夏微电子有限公司 一种组合式功率MOSFET器件

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